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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>irfbg20pbf 更新時間:2026-04-14 20:50:58

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irfbg20pbf中文資料

  • 標準包裝:

    1,000

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品

  • 家庭:

    FET - 單

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • FET 特點:

    標準型

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    1000V(1kV)

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

    1.4A

  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    11 歐姆 @ 840mA,10V

  • Id 時的 Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA

  • 閘電荷(Qg) @ Vgs:

    38nC @ 10V

  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds:

    500pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    54W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應商設備封裝:

    TO-220AB

  • 包裝:

    管件

  • 其它名稱:

    *IRFBG20PBF

  • IC工藝的發(fā)展

    ic工藝是把晶體管、二極管、電阻器、電容器和其他組件用相應的工藝方式制作在小塊的硅、玻璃或陶瓷基板上的過程。進行適當?shù)倪B接,然后封裝管殼,整個電路的體積大大降低了。因此,引出線和焊接點的數(shù)量在其影響下,也不斷減少。在20世紀50年代末和60年代初,使用的硅平面技術(shù)和薄膜與厚膜技術(shù)來實現(xiàn)整合的設想。根據(jù)工藝的過程方法,分別是以硅平面工藝,薄膜技術(shù),絲網(wǎng)印刷厚膜為基礎的ic。 看過本文還可查閱:pnx8300hl/c1/31價格 irfbg20pbf 售價

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