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IRF610

更新時間:2025-07-06 22:30:51

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IRF610 概述

IRF610是由國際整流器公司（International Rectifier，現(xiàn)為英飛凌的一部分）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率管理應(yīng)用。其最大漏極電流ID為4.7A，最大漏源電壓VDS為100V，在高頻開關(guān)電源、直流電機驅(qū)動以及繼電器驅(qū)動等場景中表現(xiàn)出色。在實際應(yīng)用中，IRF610常用于H橋和半橋電路中作為開關(guān)元件。設(shè)計時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保MOSFET完全導(dǎo)通。通常情況下，柵極電壓應(yīng)在10V以上以獲得最低的導(dǎo)通電阻。此外，為了減少開關(guān)損耗并提高效率，建議使用盡可能短且寬的PCB走線連接源極和漏極引腳，并在柵極串聯(lián)一個小電阻來抑制振鈴現(xiàn)象。在熱設(shè)計方面，應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?，如安裝散熱片，特別是在大電流應(yīng)用場合下。

IRF610 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
36W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRF610

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