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負載開關(guān)：按需要提供高效電源
電阻已經(jīng)在一定程度上接近了nmos的水平，可以實現(xiàn)有效的高壓側(cè)開關(guān)。這三種趨勢結(jié)合起來，使得在你能夠提供自己的控制信號的場合使用的負載開關(guān)非常小巧（圖1）。圖 1 可以用一個pmos通道元件和一個合適的驅(qū)動器組成一個簡單的高壓側(cè)負載開關(guān)(a)。另外一個nmos器件和上拉電阻起到邏輯反相和電平變換作用(b)。一直積極從事開發(fā)分立功率mosfet和封裝技術(shù)的公司有國際整流器公司(ir)和飛兆半導(dǎo)體公司(fairchild semiconductor)。ir公司的20v、5.1a的irf6100 pmos器件的溝道電阻在vgs 為-4.5v時為65mw，在vgs為-2.5v時增大到95mw。售價為0.35美元（批量1,000件）的irf6100，采用邊長只比1.5mm稍大的4球csp封裝，其最大連續(xù)漏極電流在70℃溫度下為3.5a（圖2）。圖 2 ir公司把一個20v、5.1a開關(guān)裝在一個邊長稍大于1.5mm 的4球csp的封裝中。飛兆半導(dǎo)體公司的fdz204p，其尺寸僅為2×2mm，售價為1.02美元（批量1,000件）。這種20v、4.5a pmos器件的溝道電阻在
與便攜式產(chǎn)品發(fā)展并駕齊驅(qū)
性參數(shù)很有競爭力的功率元件，并同時大量地減少了常規(guī)封裝中那些不需要的特性參數(shù)。在本文中，把這些器件統(tǒng)稱為倒裝芯片器件。圖1是市場上買得到的一些表面貼裝器件的芯片面積與封裝面積比值的發(fā)展趨勢?？梢钥吹剑寡b芯片的芯片面積與封裝面積的比值是最大的，是特別適合于空間受限制的便攜設(shè)備的封裝技術(shù)。flipfet功率晶體管和flipky肖特基二極管是真正在晶片上進行的芯片級封裝元件，硅芯片本身就是封裝。這些器件上有焊錫球珠，它們之間的距離是0.8 mm，可以用常規(guī)的表面貼裝工藝進行裝配。這個系列最早的產(chǎn)品是irf6100 型flipfet功率晶體管，而最近推出的ir140csp型flipky肖特基二極管是業(yè)界最小的1 a肖特基二極管。這些倒裝芯片器件不需要引線框，也不需要在上面覆蓋模塑材料，這在低功率市場引發(fā)了一場革命。因為引線框和覆蓋模塑材料是低功率至中功率二極管流行使用的傳統(tǒng)工藝。同時倒裝芯片器件與常規(guī)封裝的功率硅芯片在封裝形式上也不相同，在常規(guī)硅芯片的兩個表面上都有漏極和源極或者陽極和陰極，而倒裝芯片器件的引出端子都在硅芯片的同一個表面上，這將顯著減小此類器件的封裝尺寸。在連接方式上倒裝芯片器件與傳統(tǒng)器件

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