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FQP2N80

更新時間:2025-07-03 20:06:41

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FQP2N80外觀圖

FQP2N80

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP2N80 概述

FQP2N80是Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、直流-直流轉換器等應用場合。其最大漏極電流可達8.9A，最大漏源電壓為800V，在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能穩(wěn)定性。由于其出色的電氣特性，FQP2N80常被用于高壓側開關電路中，也可作為功率放大器使用。在實際應用時需注意散熱設計，確保工作溫度不超過規(guī)定范圍以保證器件長期穩(wěn)定運行。對于驅動電路的設計，建議選擇合適的柵極電阻值來優(yōu)化開關速度與EMI之間的平衡。

FQP2N80 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.3 歐姆 @ 1.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
85W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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