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FQP2N60C

更新時間:2025-07-03 15:17:10

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳華美銳科技有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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TO220/0825+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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只做原裝，提供一站式BOM表電子配單服務

海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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TO220/1905+
原包裝現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道-增值稅票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

廣東省泉光半導體有限公司展會宣傳
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10000
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自產，優(yōu)勢價格QQ2850160318

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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只做原裝，可提供技術支持及配單服務

深圳市鴻源達電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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5000
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TO220/25+
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綠盛電子(香港)有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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FQP2N60C外觀圖

FQP2N60C

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP2N60C 概述

FQP2N60C是飛兆半導體（現(xiàn)已被安森美半導體收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于多種功率管理應用。其最大漏源電壓為600V，能夠承受較高的電壓應力，在高壓應用中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括電源轉換器、逆變器以及電機驅動電路等。在電源轉換器中，它可以高效地控制電能的傳輸，減少能量損耗。使用時應注意柵極驅動電壓的選擇，確保MOSFET充分導通，同時注意散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。

FQP2N60C 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.7 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
235pF @ 25V
功率 - 最大
54W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
其它名稱
FQP2N60C-NDFQP2N60CFS

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