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FQP13N10

更新時間:2025-06-30 14:51:49

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市泰佳興電子有限公司
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上海祥增電子科技有限公司
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FQP13N10外觀圖

FQP13N10

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP13N10 概述

FQP13N10是Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于中等功率的應用場景。其具有低導通電阻和較高的開關速度，在電源管理、電機驅動和直流-直流轉換器等應用中表現(xiàn)出色。在電源管理領域，F(xiàn)QP13N10常用于降壓或升壓變換器的開關管，能夠有效降低功耗并提高效率。在電機驅動電路中，它可作為H橋或半橋電路的關鍵組件，控制電機的正反轉及速度調節(jié)。使用時應注意其最大漏源電壓為100V，連續(xù)漏極電流可達13A，設計電路時要確保不超過這些極限值以避免損壞器件。同時，為了優(yōu)化開關性能，柵極驅動電路的設計應盡量減少寄生電感的影響。

FQP13N10 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 6.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
450pF @ 25V
功率 - 最大
65W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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