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FQB4N80TM

更新時間:2025-06-20 16:15:52

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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FQB4N80TM外觀圖

FQB4N80TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB4N80TM 概述

FQB4N80TM是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，現(xiàn)已被安森美半導體（ON Semiconductor）收購。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻開關(guān)電源應用。其最大漏極電流為4A，最大漏源電壓為800V，適合用于交流-直流轉(zhuǎn)換器、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及照明鎮(zhèn)流器等高壓應用場合。在設(shè)計時應注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保柵極電壓足夠以完全開啟MOSFET，同時注意散熱設(shè)計以保證器件穩(wěn)定工作。在實際應用中，常與控制IC配合使用，構(gòu)成高效的開關(guān)電源系統(tǒng)。

FQB4N80TM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.6 歐姆 @ 1.95A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
880pF @ 25V
功率 - 最大
3.13W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設(shè)備封裝
TO-263-2
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQB4N80TM-NDFQB4N80TMTR

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