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FQB30N06LTM

更新時間:2025-07-03 10:35:10

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
FQB30N06LTM
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誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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FAIRCHILD/仙童
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳市宏創(chuàng)興泰電子有限公司
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有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務

深圳市芯福林電子科技有限公司
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5600
ON/安森美
19+20+/-
ON專線原廠渠道香港現(xiàn)貨一周交期

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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TDA7388 國
免費樣品
300000
JSMSEMI/杰盛微
TO263/23+
一級代理商可提供技術方案支持

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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5000
Freescale(飛思卡爾)
-/25+
提供BOM一站式配單服務

深圳市南科功率半導體有限公司
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NK/南科功率
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南科國產(chǎn)替代

深圳市芯巴巴科技有限公司
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onsemi(安森美)
D2PAK/-
只做原裝，提供一站式BOM配套服務

深圳市岳泰達電子有限公司
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12500
Freescale(飛思卡爾)
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16年老牌企業(yè) 原裝低價現(xiàn)貨

深圳市正納電子有限公司
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29078
Fairchild(飛兆/仙童)
-/-
現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

深圳市華美銳電子有限公司
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FAIRCHILD/仙童
TO263/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳華美銳科技有限公司
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2277
FAIRCHILD
-/-
公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

深圳市安富世紀電子有限公司
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105000
FAIRCHILD/仙童
SOT263/23+
原廠代理終端免費提供樣品

深圳市福啟達科技有限公司
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240000
ST/意法
2025+/SOT252
-

深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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5000
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只做原裝，可提供技術支持及配單服務

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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8800
Freescale(飛思卡爾)
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原裝現(xiàn)貨

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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9000
Fairchild/ON
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市新億利電子有限公司
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5000
Freescale(飛思卡爾)
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深圳市華斯頓科技有限公司
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15500
FSC
TO263/25+23+
原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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公司現(xiàn)貨原裝

深圳市匯萊威科技有限公司
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一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市港博科電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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56000
一級代理
NEW/NEW
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市凱斯宇科技有限公司
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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8913
FAIRCHILD/仙童
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市行進微電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨假一賠萬/發(fā)貨一天

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FQB30N06LTM外觀圖

FQB30N06LTM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FQB30N06LTM 概述

FQB30N06LTM是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.027Ω。該器件最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達30A。其快速開關性能和低柵極電荷使其非常適合高頻開關應用。這款MOSFET適用于電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在電機驅(qū)動電路中，它可以作為H橋或半H橋電路的關鍵元件，提供高效的電能傳輸。使用時需注意保證足夠的散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。設計PCB布局時應盡量減小源極和漏極之間的引線長度以降低寄生電感影響。

FQB30N06LTM 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1040pF @ 25V
功率 - 最大
3.75W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263（D2Pak）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQB30N06LTM-NDFQB30N06LTMTR

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