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FDP55N06

更新時間:2025-06-20 21:43:05

供應商
產品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市萊克訊科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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深圳市新億利電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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FDP55N06外觀圖

FDP55N06

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 55A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP55N06 概述

FDP55N06是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力，典型導通電阻僅為0.024歐姆（在Vgs=10V時）。其最大漏極電流ID可達52A，最大漏源電壓VDS為60V，適用于高效直流-直流轉換器、電機驅動和電源管理等應用場合。在實際應用中，F(xiàn)DP55N06常用于需要快速開關特性和低功耗的電路設計中。例如，在電機控制電路里，它可以用作功率開關管，幫助實現(xiàn)對電機轉速的精確調節(jié)。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻以確保MOSFET能夠快速穩(wěn)定地開通與關斷，并且要保證散熱措施良好，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于初學者來說，可以參考官方提供的應用筆記來更好地理解如何正確使用這款MOSFET。

FDP55N06 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
55A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 27.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
37nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1510pF @ 25V
功率 - 最大
114W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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