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FDP65N06

更新時間:2025-06-03 17:39:26

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詢價

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FDP65N06外觀圖

FDP65N06

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 65A TO-220

封裝:TO-220-3

FDP65N06 概述

FDP65N06是Fairchild Semiconductor生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于多種功率管理應用。其典型應用場景包括電源轉換器、電機驅動、負載開關以及電池管理電路等。在DC-DC轉換器中，它能夠高效地進行能量轉換，減少功耗；作為電機驅動元件時，可以提供快速響應和精確控制。使用時需注意散熱設計以確保器件穩(wěn)定工作。建議在PCB布局時給予充分的銅箔面積用于散熱，并合理選擇柵極電阻值來優(yōu)化開關性能。

FDP65N06 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
65A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16 毫歐 @ 32.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
43nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2170pF @ 25V
功率 - 最大
135W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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