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FDD6N25TM

更新時間:2025-07-13 21:14:06

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務

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原裝現(xiàn)貨，市場價格

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300000
onsemi(安森美)
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深圳市正納電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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FDD6N25TM外觀圖

FDD6N25TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6N25TM 概述

FDD6N25TM是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為250V，適用于高頻開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場合。在實際應用中，F(xiàn)DD6N25TM常被用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的電路設計中。例如，在反激式變換器中，它能夠有效地降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。使用時應注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，推薦使用10V以上的驅(qū)動電壓以確保最佳性能。同時，在PCB布局時要盡量減小源極電感，避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。對于高可靠性要求的應用場景，建議進行充分的熱設計評估，因為良好的散熱措施有助于提升器件的長期穩(wěn)定性。

FDD6N25TM 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.1 歐姆 @ 2.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
250pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD6N25TMTR

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