由于可靠性，成本和系統(tǒng)級(jí)別的價(jià)值提高，碳化硅碳化物的阻塞電壓最高可達(dá)1700 V。通過將最新SIC CHIP生成的阻塞電壓擴(kuò)展到2000 V，新的可能性就會(huì)出現(xiàn)?，F(xiàn)在可以更輕松地處...
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2021-05-13 閱讀：1037 關(guān)鍵詞：SiC功率器件篇之SiC半導(dǎo)體二極管
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可...
分類：PCB技術(shù) 時(shí)間：2009-03-13 閱讀：3636 關(guān)鍵詞：SiC功率器件的封裝技術(shù)SiC功率器封裝
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