SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。

    不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。

    SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。

    用于功率器件制作，4H-SiC  為合適。

    2. 功率器件的特征

    SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，因此與Si器件相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。

    高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。

    理論上，相同耐壓的器件，SiC的單位面積的漂移層阻抗可以降低到Si的1/300。

    而Si材料中，為了改善伴隨高耐壓化而引起的導通電阻增大的問題，主要采用如IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數(shù)載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開關損耗大 的問題，其結果是由此產(chǎn)生的發(fā)熱會限制IGBT的高頻驅動。

    SiC材料卻能夠以高頻器件結構的多數(shù)載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) "高耐壓"、"低導通電阻"、"高頻" 這三個特性。

    另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。