安森美 EliteSiC MOSFET 與柵極驅(qū)動器：電動汽車電力系統(tǒng)創(chuàng)新引領(lǐng)者
在歐盟 2035 年零排放目標等一系列雄心勃勃的計劃推動下，全球范圍內(nèi)從化石燃料向電動汽車（EV）的轉(zhuǎn)型正在以前所未有的速度加速進行。為了在市場中吸引消費者，電動汽車必...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-07-10 閱讀：409 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技術(shù)特性與應(yīng)用優(yōu)勢
在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率器件的性能對于眾多應(yīng)用場景的高效運行起著關(guān)鍵作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-06-26 閱讀：541 關(guān)鍵詞：JFET
解析 Littelfuse SMFA：非對稱 TVS 二極管助力 SiC MOSFET 高效柵極保護
在當(dāng)今的電源和電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 的應(yīng)用正變得越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步，開關(guān)損耗也在持續(xù)降低。然而，隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計人...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-06-24 閱讀：357 關(guān)鍵詞： TVS 二極管
在電力電子領(lǐng)域，為了確保 SiC（碳化硅）模塊的安全使用，精確計算其在工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并使其在額定值范圍內(nèi)運行至關(guān)重要。MOSFET 的損耗計算與 IGBT 既有相...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-06-19 閱讀：648 關(guān)鍵詞： SiC MOSFET
揭秘 SiC 市場新爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)深度剖析
在 SiC（碳化硅）市場蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出了諸多優(yōu)勢。今天，我們將深入探討 Cascode 結(jié)構(gòu)，探尋其在 SiC 市場成為下一個爆...
SiC MOSFET 模塊并聯(lián)的動態(tài)均流難題及對策
在電力電子領(lǐng)域的不斷發(fā)展進程中，SiC MOSFET 模塊由于其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻等，被廣泛應(yīng)用于各種高功率、高頻率的場合。而當(dāng)多個 SiC MOSFET 模塊并聯(lián)...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-05-30 閱讀：474 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
在傳動逆變器中，一個低功率輔助電源，通常是反激轉(zhuǎn)換器，起著至關(guān)重要的作用，將 400V 或 800V 高壓直流（HVDC）輸入轉(zhuǎn)換為低壓直流（LVDC）輸出。該輔助電源在故障條件下...
maxpak初始焦點高達650V/400A和1200V/200A工業(yè)開關(guān)。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到電力PCB，DBC底物，甚至是重型銅鉛框架的限制，從而限制了最大電流。最初的?maxpak...
瞬態(tài)保護設(shè)備 瞬態(tài)尖峰可能是由雷擊，附近的機械，負載開關(guān)的電源飆升等引起的。一個例子是現(xiàn)代汽車，在該汽車上不斷增加的車載電子設(shè)備連接到電池和交流發(fā)電機。交流發(fā)...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-03-27 閱讀：479 關(guān)鍵詞：抑制二極管
將Schottky屏障二極管與SIC MOSFET集成的進步
Sic Schottky二極管比標準硅P/N二極管具有許多優(yōu)勢。一個關(guān)鍵優(yōu)勢是缺乏反向發(fā)現(xiàn)損失，這可能會主導(dǎo)P/N二極管損失，尤其是在較高的溫度，快速轉(zhuǎn)換過渡和高流動應(yīng)用下。除了...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2025-03-20 閱讀：535 關(guān)鍵詞：二極管
由于可靠性，成本和系統(tǒng)級別的價值提高，碳化硅碳化物的阻塞電壓最高可達1700 V。通過將最新SIC CHIP生成的阻塞電壓擴展到2000 V，新的可能性就會出現(xiàn)?，F(xiàn)在可以更輕松地處...
TDK - 面向緊湊型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供電解決方案
隨著人工智能 (AI) 和邊緣應(yīng)用日趨完善和復(fù)雜，對處理器、ASIC和FPGA/SoC的計算能力和電源要求也水漲船高。因為這些設(shè)備須在更狹小的空間內(nèi)高效運行，同時保持高性能。垂直...
傳統(tǒng)保險絲是一種單使用設(shè)備，需要在清除故障后更換。因此，指定保險絲僅在持續(xù)的高電流下吹。這可以保護系統(tǒng)中的布線，但不能保護敏感的負載，并且可能導(dǎo)致系統(tǒng)級的停機時...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-02-21 閱讀：501 關(guān)鍵詞：SIC
Microchip - 基于SiC的高電壓電池斷開開關(guān)的設(shè)計注意事項
得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計高電壓固態(tài)電池斷開開關(guān)時，需...
分類：動力電池/充電樁 時間：2025-02-14 閱讀：2023
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設(shè)計高壓固態(tài)電池斷開連接開關(guān)時，需要...
時間：2025-02-12 閱讀：411 關(guān)鍵詞：SIC
基于 SiC 器件的電機驅(qū)動 工業(yè)電機驅(qū)動器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅(qū)動的電...
系統(tǒng)解決方案：“用于工業(yè)電機驅(qū)動的SiC逆變器”
這導(dǎo)致對系統(tǒng)和組件級別的設(shè)計要求更加苛刻，并最終影響功率器件、無源組件、冷卻技術(shù)和PCB的整體一致性?！ 榱藢崿F(xiàn)所需的增強系統(tǒng)性能，半導(dǎo)體器件必須應(yīng)對更高的功率...
第一代 AI PSU：采用相同架構(gòu)，功率更高，約 5.5–8 kW，50 V輸出，277 V交流，單相 目前的AI服務(wù)器PSU大多遵循ORv3-HPR標準。在該標準中，大多數(shù)規(guī)格，包括輸入和輸出...
溝槽 JFET 結(jié)構(gòu) 圖 1 顯示了溝槽 JFET 的單元結(jié)構(gòu)示意圖。低導(dǎo)通電阻源自以高單元密度重復(fù)的垂直溝道，從而通過溝道和漂移區(qū)域在源極和漏極接觸之間創(chuàng)建了一條短路徑。...
時間：2024-12-30 閱讀：599 關(guān)鍵詞：USCis SiC 共源共柵
SiC MOSFET 利用快速關(guān)斷方法實現(xiàn)短路保護
短路原點 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的 SC 事件可能由多種原因引起，包括電纜操作、負載故障、絕緣材料老化、組件故障和設(shè)計錯誤。電源應(yīng)用可以包括不同的保護機制以提高其可靠性?！ ∝撦d引起的高電感 SC 事件通常通過軟件...
分類：安防監(jiān)控 時間：2024-12-19 閱讀：608 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
- 高速PCB信號完整性（SI）設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
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- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析
