由于GAN的高開關速度，寄生電感 與老化功率MOSFET相比，在較高的頻率下使用GAN的能力使寄生電感在功率轉化電路中的降解作用焦點[1]。這種電感阻礙了GAN額外的開關功能的...
ST- 為什么選擇GaN晶體管？MASTERGAN1告訴你答案
ST發(fā)布了市場 也是 的單封裝集成600 V柵極驅動器和兩個加強版氮化鎵（GaN）晶體管的MASTERGAN1。同類競品只提供一顆GaN晶體管，而ST決定增加一顆GaN，實現半橋配置，并允...
分類：元器件應用 時間：2020-12-28 閱讀：606 關鍵詞：ST- 為什么選擇GaN晶體管？MASTERGAN1告訴你答案晶體管
第三代半導體材料——氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于功率因數校正(PFC)、軟開關DC-DC等電源系統(tǒng)設計...
分類：元器件應用 時間：2016-06-28 閱讀：3202 關鍵詞：安森美半導體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
