以CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的微型化毫米波傳感器

分類：傳感技術(shù) 時(shí)間：2017-05-18 閱讀：0

OKI生產(chǎn)世界首款采用SOI-CMOS技術(shù)的UV傳感器

2007年11月28日，沖電氣工業(yè)（OKI）宣布，將于本月開始，批量供應(yīng)能感知紫外線(UV)的傳感器IC“ML8511”。同時(shí)還計(jì)劃今年面向香港及中國(guó)大陸市場(chǎng)銷售10萬(wàn)個(gè)以上該商品。 “ML8511”的應(yīng)用例（便攜式裝飾品的試制品）...

分類：傳感技術(shù) 時(shí)間：2007-11-30 閱讀：1754 關(guān)鍵詞：OKI生產(chǎn)世界首款采用SOI-CMOS技術(shù)的UV傳感器

利用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)pH-ISFET

摘要：在對(duì)離子敏場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ISFET）基本結(jié)構(gòu)及電學(xué)特性分析的基礎(chǔ)上，提出了一種基于CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)ISFET與信號(hào)處理電路集成化的設(shè)計(jì)方法。模擬仿真的結(jié)果表明，所采用的ISFET/MOSFET“互補(bǔ)對(duì)”結(jié)構(gòu)的信號(hào)讀取電路...

分類：其它 時(shí)間：2007-08-01 閱讀：2709 關(guān)鍵詞：利用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)pH-ISFET410082

超高速度模擬電路SOI上的5V互補(bǔ)SiGe BiCMOS技術(shù)

1.技術(shù)概覽： 第三代完全電介質(zhì)絕緣的互補(bǔ) SiGe BiCMOS 工藝 (BiCom3) 針對(duì)超高速高模擬集成電路而設(shè)計(jì)。上述器件的工作電壓為 5V，可在廣泛的溫度范圍內(nèi)工作，其 fT 的范圍為 15-20 GHz，fmax 的值則達(dá) 40-5...

分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2007-04-29 閱讀：247 關(guān)鍵詞：超高速精確度模擬電路SOI上的5V互補(bǔ)SiGe BiCMOS技術(shù)25001000100MHZ30MHZ72DB60MHZ