H 橋是一個(gè)相當(dāng)簡單的電路。它包含四個(gè)獨(dú)立控制的 FET（或 BJT，但 FET 現(xiàn)在更常見），用作開關(guān)元件，用于引導(dǎo)電流流過負(fù)載（通常是感性負(fù)載，例如電機(jī)）。下圖 1 顯示了 H 橋中的“H”?！?/p>

　　圖 1. H 橋電路圖；兩條電流路徑一起類似于字母“H”?！?br>　　外部二極管（稱為續(xù)流或反激二極管）并不總是包含在 H 橋電路中，因?yàn)榭梢允褂?FET 的體二極管來代替它們。
　　使用 H 橋時(shí)請(qǐng)注意：切勿開啟同一側(cè)的兩個(gè) FET，即 Q1 和 Q2，或 Q3 和 Q4。這樣做會(huì)創(chuàng)建一條從正軌到地的阻抗非常低的路徑，而產(chǎn)生的高電流（通常稱為“擊穿”）可能會(huì)損壞 FET。
　　快速衰減模式
　　我前面提到的直流電機(jī)項(xiàng)目要求電機(jī)在禁用時(shí)能夠快速停止在特定位置。因此，考慮到這一要求，我首先確信采用快速衰減模式正是我所需要的。假設(shè)“快速衰減”對(duì)應(yīng)于快速減速是合理的。我錯(cuò)了。在閱讀了這個(gè)問題后，我意識(shí)到術(shù)語慢衰減和快衰減與流經(jīng)電感器的電流相關(guān)，并且與直流電機(jī)的行為沒有直接關(guān)系。
　　總結(jié)一下這一點(diǎn)：不要認(rèn)為快速衰減會(huì)使電機(jī)很快停止，因?yàn)閷?shí)際上恰恰相反。　　“快速衰減模式”這個(gè)名稱指的是這種模式允許電機(jī)線圈電流非?？焖俚厮p到零。下面的圖 2 描述了源自 V bat 的電流，然后流經(jīng) Q1、電機(jī)繞組和 Q4 到達(dá)接地節(jié)點(diǎn)。在此情況下，電機(jī)通電并正常轉(zhuǎn)動(dòng)。　　

　　圖2.電機(jī)通電并正常轉(zhuǎn)動(dòng)?！　　　∪缒?，通過電感器的電流（如電容器兩端的電壓）不能瞬時(shí)變化。如果我們禁用 Q1 和 Q4，電流將繼續(xù)流過反激二極管或 FET 體二極管；該電流將逐漸衰減至零?？焖偎p模式是一種使用 FET 而不是二極管來為衰減感應(yīng)電流提供路徑的技術(shù)。下面的圖 3 顯示 Q2 和 Q3 啟用，而 Q1 和 Q4 均禁用?！　?/p>

　　圖 3.啟用 Q2 和 Q3（快速衰減模式）?！　?br>　　通過驅(qū)動(dòng) Q2 和 Q3 導(dǎo)通，我們?cè)俅蜗螂姼衅魇┘釉措妷?，但極性相反，即促進(jìn)感應(yīng)電流更快衰減的極性。
　　不要忘記，投籃是一個(gè)大禁忌。因此，我們必須先禁用一個(gè) FET，然后再啟用另一個(gè) FET - 我們必須“先斷后合”。幸運(yùn)的是，當(dāng)使用 DRV8801 和其他電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，我們不必?fù)?dān)心這種先斷后通的情況，因?yàn)樗怯?IC 自動(dòng)處理的?！　∽詈螅鶕?jù)您的應(yīng)用，可能不需要使用快速衰減模式。相反，您可以選擇簡單地使用上面提到的反激二極管或體二極管。然而，二極管何時(shí)開始導(dǎo)通的時(shí)間未知，這在您的應(yīng)用中可能重要也可能不重要。根據(jù)TI 的社區(qū)支持頁面，“一般來說，高電感電機(jī)、高運(yùn)行速度或高微步進(jìn)通常需要快速衰減，這些電機(jī)都需要電流快速變化?！?此外，如果FET 的導(dǎo)通電阻導(dǎo)致壓降低于二極管的正向電壓，則快速衰減模式可以降低功耗。　

　圖 4.作為快速衰減模式的替代方案，您可以使用體二極管或外部反激二極管為衰減感應(yīng)電流提供路徑。圖片由TI 的 SLVA321 應(yīng)用說明提供（圖 3）。

　　慢衰減模式
　　讓我們回顧一下圖 2，其中電機(jī)正常運(yùn)行。現(xiàn)在，我們不再像快速衰減模式那樣打開 Q2 和 Q3 并關(guān)閉 Q1 和 Q4（圖 3），而是禁用 Q1 并啟用 Q2（參見下面的圖 5）?！　?**注：兩個(gè)低側(cè) FET 或兩個(gè)高側(cè) FET 均可用于慢衰減模式。

　　　　圖 5.啟用 Q2 和 Q4（慢衰減模式）?！　?br>　　當(dāng)電感器的電流以再循環(huán)方式流經(jīng) Q2 和 Q4 時(shí)，其電流減小至零。在這種情況下，沒有施加電壓迫使電流快速放電；相反，電流在流經(jīng)電感器電阻和兩個(gè) FET 的導(dǎo)通電阻時(shí)以熱量形式耗散。
　　盡管電流衰減較慢，但該模式可以更快地降低電機(jī)速度。當(dāng)直流電機(jī)旋轉(zhuǎn)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。我們可以將其視為電機(jī)慣性或存儲(chǔ)能量的表現(xiàn)。在快速衰減模式下，盡管電流衰減很快，但隨著存儲(chǔ)的能量逐漸耗散，電機(jī)將滑向零角速度。
　　當(dāng)我們啟用 Q2 和 Q4 時(shí)，我們將在兩個(gè)電機(jī)端子之間創(chuàng)建一條低阻抗路徑。這實(shí)質(zhì)上縮短了反電動(dòng)勢(shì)，從而使電機(jī)存儲(chǔ)的能量能夠更快地耗散。結(jié)果是快速減速，以至于術(shù)語“制動(dòng)”與緩慢衰減模式相關(guān)聯(lián)。
　　因此請(qǐng)記住，“慢”和“快”的名稱與通過感性負(fù)載（例如電機(jī)繞組）的電流衰減率直接相關(guān)，而不是與電機(jī)角速度的降低相關(guān)。
　　總之
　　快速衰減模式會(huì)導(dǎo)致感應(yīng)電流快速減少，并允許電機(jī)滑行至零速度。慢衰減模式導(dǎo)致感應(yīng)電流減少較慢，但會(huì)產(chǎn)生快速減速。
　　下面的圖 6 總結(jié)了這兩種衰減模式的當(dāng)前路徑。

　　

　　圖 6. DRV8801 中的電流路徑。圖片由TI 的 DRV8801 數(shù)據(jù)表（第 14 頁）提供。