在標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載測(cè)量技術(shù)中（如圖5所示），一個(gè)電阻與DUT串聯(lián)，通過(guò)測(cè)量負(fù)載電阻上的電壓就可以測(cè)出流過(guò)DUT的電流。采用有源、高阻抗探針和示波器[1]記錄負(fù)載電阻上的電壓。流過(guò)DUT的電流等于施加的電壓（VAPPLIED）減去器件上的電壓（VDEV），再除以負(fù)載電阻。負(fù)載電阻的大小范圍通常從1千歐到3千歐。這種技術(shù)采用了一種折衷：如果負(fù)載電阻太高，RC效應(yīng)以及電壓在R負(fù)載和DUT上的分配將會(huì)限制這種技術(shù)的性能；但是，如果電阻值太小，它會(huì)影響電流的分辨率。

　　圖5.標(biāo)準(zhǔn)R負(fù)載技術(shù)
　　近，我們研究出了一種新的不需要負(fù)載電阻的限流技術(shù)。通過(guò)緊密控制電流源的大小，可以對(duì)于RI曲線中的低電流進(jìn)行更的特征分析。這種新技術(shù)（如圖6所示）能夠通過(guò)脈沖掃描同時(shí)獲得I-V和RI曲線，其中采用了高速脈沖源和測(cè)量?jī)x器，即雙通道的4225-PMU[2]超快I-V模塊。這種新模塊能夠提供電壓源，同時(shí)以較高的測(cè)量電壓和電流響應(yīng)，上升和下降時(shí)間短至20ns。
　　去掉負(fù)載電阻也就消除了回折的副作用。4225-PMU模塊[3]以及用于擴(kuò)展其靈敏度的4225-RPM[4]遠(yuǎn)程放大器/開(kāi)關(guān)（如圖7所示）可用于4200-SCS型[5]半導(dǎo)體特征分析系統(tǒng)，其不僅具有對(duì)PCM器件進(jìn)行特征分析所必需的測(cè)量功能，而且能夠自動(dòng)實(shí)現(xiàn)整個(gè)測(cè)試過(guò)程。

　　圖6.采用4225-PMU的限流技術(shù)

　　圖7.4225-PMU超快I-V模塊和兩個(gè)4225-RPM遠(yuǎn)程放大器/開(kāi)關(guān)，
　　適用于吉時(shí)利4200-SCS型特征分析系統(tǒng)