恒憶推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 （LPDDR） 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機和消費性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態(tài)隨機存儲器（DRAM）內(nèi)容平臺低成本解決方案的同時，還可達到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 （PCM） 產(chǎn)品提供了無縫的架構(gòu)途徑。

　　相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。

　　無線電話中的數(shù)字圖像、影像、游戲及其他應(yīng)用程序都對存儲器提出了更高要求，為滿足這些要求，大多數(shù)的手機制造商會采用結(jié)合如NOR、NAND等非揮發(fā)性存儲器以及成本低廉的RAM技術(shù)。其中由于各種存儲器類型需要不同的硬件和軟件接口，經(jīng)常迫使設(shè)計人員在存儲系統(tǒng)性能與支持更多接口之間得做出妥協(xié)，因而提高系統(tǒng)成本。

　　恒憶Velocity LP NV-RAM將系統(tǒng)中不同的存儲器的特性結(jié)合在一個廣為接受LPDDR 接口上，有助于簡化系統(tǒng)架構(gòu)、提升速度并降低成本。由于此非揮發(fā)性存儲器也具有執(zhí)行功能，因此設(shè)計人員可以 RAM的 速度讀取數(shù)字內(nèi)容，并降低系統(tǒng)的 LP RAM 需求以減少存儲系統(tǒng)成本，此接口同時可協(xié)助系統(tǒng)設(shè)計人員使用相同架構(gòu)來擴充存儲系統(tǒng)，以支持從低端到高端的各種電話。

　　恒憶Velocity LP NV-RAM 系列與 2007 年 11 月所發(fā)布的 JEDEC 低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 （LPDDR） NVM 標準兼容。恒憶將持續(xù)推出新產(chǎn)品來迎合產(chǎn)業(yè)未來新一代接口標準，此次開發(fā)的產(chǎn)品是推出更快速非揮發(fā)性存儲器的步，并借此降低移動平臺加載額外 RAM 的需求。

　　在研發(fā)Velocity LP NV-RAM 系列產(chǎn)品過程中，恒憶便積極與產(chǎn)業(yè)鏈及客戶合作，預(yù)期LPDDR NV-RAM 解決方案將在 2009 年面市。ARM 處理器部門營運暨光纖 IP 副總裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 接口具有顯著優(yōu)勢，使開發(fā)人員得以實現(xiàn)ARM*架構(gòu)的移動應(yīng)用。ARM與恒憶密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 動態(tài)存儲控制器能夠搭配恒憶Velocity LP NV-RAM 解決方案，主要合作伙伴目前也已經(jīng)順利采用此款產(chǎn)品。

　　以軟件與封裝提高價值

　　除了提供創(chuàng)新的 NVM 硅產(chǎn)品外，恒憶也提供創(chuàng)新的軟件解決方案。它所推出的 XIP 文件系統(tǒng) （AXFS，Advanced XIP File System）讓軟件設(shè)計人員和架構(gòu)人員能夠運用單一文件系統(tǒng)，支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技術(shù)，以及日后的 PCM 型產(chǎn)品。AXFS 軟件可壓縮未使用的代碼頁，協(xié)助設(shè)計人員得以在特定密度下多獲得 50%的儲存量，并化設(shè)計過程中的系統(tǒng)層級效能與成本，同時減少 RAM 需求以降低系統(tǒng)功耗。

　　通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)，恒憶運用單一的封裝層迭（package-on-package）解決方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的優(yōu)勢，設(shè)計人員可結(jié)合處理器推出高性能而低成本的存儲解決方案。在同一總線安裝 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恒憶使存儲器能夠相互堆棧，節(jié)省電路板的實體空間或“存儲體積”。

　　恒憶簡介

　　海力士-恒憶半導(dǎo)體有限公司是由韓國（株）海力士半導(dǎo)體和歐洲Numonyx.B.V.公司在江蘇無錫新區(qū)出口加工區(qū)合資建造的世界一流存儲器制造的外商獨資公司。 其主要產(chǎn)品為8英寸及12英寸集成電路晶圓，應(yīng)用范圍涉及存儲器、消費類產(chǎn)品、移動、SOC及系統(tǒng)IC等領(lǐng)域。 公司將采用世界的技術(shù)來生產(chǎn)DRAM和Nand 閃存。 該項目是無錫市惟一獲得國務(wù)院核準建設(shè)的工業(yè)項目，總投資為35億美元，是國內(nèi)半導(dǎo)體單體投資規(guī)模、技術(shù)的項目，也是江蘇省的外商獨資項目。 作為兩個在半導(dǎo)體行業(yè)舉足輕重集團的合資公司，海力士-恒憶半導(dǎo)體有限公司必將邁著穩(wěn)健的步伐，前進在成長的繁榮道路上。