低延時(shí)網(wǎng)絡(luò)解決方案　　

    美光科技（Micron Technology, Inc）今天推出了第三代低延時(shí)DRAM （RLDRAM○R 3內(nèi)存）—一種高帶寬內(nèi)存技術(shù)，能更有效的傳輸網(wǎng)絡(luò)信息。視頻內(nèi)容、移動(dòng)應(yīng)用和云計(jì)算的蓬勃發(fā)展，對網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數(shù)據(jù)。與前幾代產(chǎn)品相比，美光新的RLDRAM 3內(nèi)存進(jìn)一步提高了存儲密度和速度，同時(shí)限度地減少了延遲，降低了功耗，在網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中性能更好。

　　美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容消費(fèi)的不斷增長，人們?nèi)找嫘枰幸环N能支持網(wǎng)絡(luò)流量增長的技術(shù)，美光的RLDRAM 3內(nèi)存滿足了這種需求”。

　　對于現(xiàn)有的RLDRAM 2，美光將繼續(xù)提供水平的技術(shù)支持，并計(jì)劃長期生產(chǎn)該產(chǎn)品。此外，美光正將其RLDRAM 2產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)入更先進(jìn)的50nm工藝，提高系統(tǒng)性能，降低功耗。

   RLDRAM 3內(nèi)存產(chǎn)品特點(diǎn)

　　美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的主要特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)有：

　　-低延時(shí)：tRC不足10納秒，是業(yè)界的隨機(jī)存取延時(shí)

　　-高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設(shè)計(jì)

　　-高速率：達(dá)2133Mb/s，數(shù)據(jù)存取速度更快

　　-高能效：1.2V IO和1.35V內(nèi)核電壓，更省電

　構(gòu)建RLDRAM 合作伙伴網(wǎng)絡(luò)

　　美光維持著龐大的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)性能。作為這個(gè)價(jià)值生態(tài)系統(tǒng)的一部分，美光目前合作的FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內(nèi)存可集成到其產(chǎn)品系列中。

　　Altera組件產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數(shù)據(jù)通路，針對美光內(nèi)存設(shè)有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內(nèi)存的發(fā)布讓我們的內(nèi)存帶寬可高達(dá)1600 Mbps，為行業(yè)內(nèi)速度，大幅降低了延時(shí)。美光新的存儲產(chǎn)品搭配Altera新的內(nèi)存接口架構(gòu)是一項(xiàng)重要技術(shù)成果，是我們與美光多年技術(shù)合作的一項(xiàng)之作?！?/P>

　　Xilinx應(yīng)用和技術(shù)營銷資深總監(jiān)Rina Raman說：“Xilinx 7系列FPGA應(yīng)用于的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術(shù)，讓我們的客戶能夠開發(fā)網(wǎng)絡(luò)平臺，來滿足嚴(yán)格的基礎(chǔ)設(shè)施需求?！?/P>

　產(chǎn)品可用性

　　美光預(yù)計(jì)將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進(jìn)行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內(nèi)存設(shè)計(jì)的意見。此外，美光預(yù)計(jì)將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產(chǎn)品進(jìn)行抽樣。

　關(guān)于美光科技（Micron Technology, Inc）

　　美光半導(dǎo)體（西安）有限責(zé)任公司是鎂光科技（Micron Technology）在西安高新區(qū)新設(shè)立的外商獨(dú)資企業(yè)，是目前陜西省的外商投資企業(yè)之一，并且是的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案提供商之一。公司的主要業(yè)務(wù)是集成電路封裝測試和內(nèi)存模塊裝配。美光依托性運(yùn)營，制造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR閃存、以及其他創(chuàng)新存儲技術(shù)、包裝解決方案和和半導(dǎo)體系統(tǒng)，用于前沿計(jì)算、消費(fèi)、聯(lián)網(wǎng)和移動(dòng)產(chǎn)品。美光的普通股在NASDAQ上市交易，代碼為MU。

　　美光和美光軌道標(biāo)識屬于美光商標(biāo)。所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。RLDRAM是Qimonda AG在許多國家的注冊商標(biāo)，由美光使用，但須經(jīng)Qimonda授權(quán)。

　　本新聞稿包含前瞻性陳述，涉及美光新的RLDRAM 3內(nèi)存的生產(chǎn)以及和50 nm RLDRAM 2樣品的供應(yīng)。實(shí)際情況或結(jié)果可能與前瞻性陳述大相徑庭。請綜合參閱美光不時(shí)在證券交易委員會(huì)存檔的文件，特別美光的10-K表和10-Q表。這些文件載有并明確指出了可能會(huì)使美光實(shí)際綜合業(yè)績與前瞻性陳述大不相同的重要因素（見某些因素?fù)敚?。雖然我們認(rèn)為，前瞻性陳述反映的預(yù)期非常合理，但我們不能對未來結(jié)果、活動(dòng)水平、業(yè)績或成就給予保證。