對于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管反峰，又要RCD吸收回路功耗）

　　MOS管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

　　RCD旋轉(zhuǎn)控制裝置，一種應(yīng)用用石油鉆井行業(yè)的特殊設(shè)備，一般應(yīng)用于欠平衡鉆井技術(shù)中，有時因為也作為常規(guī)防噴器使用。

　　在討論前我們先做幾個假設(shè)：

　?、匍_關(guān)電源的工作頻率范圍：20~200KHZ;

　?、赗CD中的二極管正向?qū)〞r間很短（一般為幾十納秒）；

　　③在調(diào)整RCD回路前主變壓器和MOS管，輸出線路的參數(shù)已經(jīng)完全確定。

　　有了以上幾個假設(shè)我們就可以先進行計算：

　　一 首先對MOS管的VD進行分段：

　?、?，輸入的直流電壓VDC;

　?、?，次級反射初級的VOR;

　　ⅲ，主MOS管VD余量VDS;

　?、ぃ琑CD吸收有效電壓VRCD1.

　　二 對于以上主MOS管VD的幾部分進行計算：

　?、。斎氲闹绷麟妷篤DC.

　　在計算VDC時，是依輸入電壓值為準(zhǔn)。如寬電壓應(yīng)選擇AC265V,即DC375V.

　　VDC=VAC*√2

　?、?，次級反射初級的VOR.

　　VOR是依在次級輸出電壓，整流二極管壓降時計算的，如輸出電壓為：5.0V±5%，二極管VF為0.525V。

　　VOR=（VFVo）*Np/Ns

　?、＃鱉OS管VD的余量VDS.

　　VDS是依MOS管VD的10%為值。如KA05H0165R的VD=650應(yīng)選擇DC65V.

　　VDC=VD*10%

　?、?，RCD吸收VRCD.

　　MOS管的VD減去ⅰ，ⅲ三項就剩下VRCD的值。實際選取的VRCD應(yīng)為值的90%。

　　VRCD=（VD-VDC-VDS）*90%

　　注意：①VRCD是計算出理論值，再通過實驗進行調(diào)整，使得實際值與理論值相吻合。

　?、赩RCD必須大于VOR的1.3倍。（如果小于1.3倍，則主MOS管的VD值選擇就太低了）

　?、跰OS管VD應(yīng)當(dāng)小于VDC的2倍。（如果大于2倍，則主MOS管的VD值就過大了）

　?、苋绻鸙RCD的實測值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影響電源效率。

　?、軻RCD是由VRCD1和VOR組成的

　?、ィ琑C時間常數(shù)τ確定。

　　τ是依開關(guān)電源工作頻率而定的，一般選擇10~20個開關(guān)電源周期。

　　三 試驗調(diào)整VRCD值

　　首先假設(shè)一個RC參數(shù)，R=100K/RJ15,C=10nF/1KV.再上市電，應(yīng)遵循先低壓后高壓，再由輕載到重載的原則。在試驗時應(yīng)當(dāng)嚴(yán)密注視RC元件上的電壓值，務(wù)必使VRCD小于計算值。如發(fā)現(xiàn)到達(dá)計算值，就應(yīng)當(dāng)立即斷電，待將R值減小后，重復(fù)以上試驗。一個合適的RC值應(yīng)當(dāng)在輸入電壓，重的電源負(fù)載下，VRCD的試驗值等于理論計算值。

　　四 試驗中值得注意的現(xiàn)象

　　輸入電網(wǎng)電壓越低VRCD就越高，負(fù)載越重VRCD也越高。那么在輸入電壓，重負(fù)載時VRCD的試驗值如果大于以上理論計算的VRCD值，是否和（三）的內(nèi)容相矛盾哪？不矛盾，理論值是在輸入電壓時的計算結(jié)果，而現(xiàn)在是低輸入電壓。主要是通過試驗測得開關(guān)電源的極限功率。

　　五 RCD吸收電路中R值的功率選擇

　　R的功率選擇是依實測VRCD的值，計算而得。實際選擇的功率應(yīng)大于計算功率的兩倍。

　　編后語：RCD吸收電路中的R值如果過小，就會降低開關(guān)電源的效率。然而，如果R值如果過大，MOS管就存在著被擊穿的危險。