惠普公司今天宣布，已經(jīng)和韓國海力士半導(dǎo)體達(dá)成合作研發(fā)協(xié)議，雙方將共同致力于在未來的產(chǎn)品中使用Memristor憶阻器技術(shù)，即使用電阻實現(xiàn)存儲的ReRAM（Resistive Random Access Memory電阻式存儲器）。

　　憶阻器技術(shù)的研究實際上已有數(shù)十年的歷史。1971年，加州大學(xué)伯克利分校Leon Chua教授預(yù)測，在電容、電阻和電感之外，還存在第四種基本元件：記憶電阻（Memristor）。這種電阻能夠通過施加不同方向、大小電壓，改變其阻值。由于可以使用不同阻值代表數(shù)字信號，憶阻器在計算機(jī)存儲領(lǐng)域應(yīng)用前景廣泛。它使用單個元件就可以實現(xiàn)一組閃存電路的功能，并且耗能更少，速度更快。當(dāng)把憶阻器與半導(dǎo)體電路混合時，可以大幅降低處理器芯片中用于存儲的晶體管數(shù)量，明顯降低成本。

　　發(fā)展歷程

　　2006年，惠普終于通過實驗證實了憶阻器的存在，并在2008年于自然雜志發(fā)表論文得到世界認(rèn)可。在證明憶阻器存在后，惠普還在不斷推動這項技術(shù)的進(jìn)步，包括2009年實現(xiàn)憶阻器電路堆疊，今年上半年又證實憶阻器可實現(xiàn)邏輯電路，即可以在存儲芯片中直接實施運算功能。根據(jù)今天簽訂的協(xié)議，雙方將共同研發(fā)憶阻器技術(shù)，爭取盡快讓使用該技術(shù)的ReRAM商品化。海力士將在自己的研發(fā)和生產(chǎn)制造中逐步應(yīng)用憶阻器技術(shù)。

　　由于ReRAM屬于非易失性存儲設(shè)備，其直接的應(yīng)用就是替代閃存，擔(dān)當(dāng)計算機(jī)以及各種消費電子設(shè)備中的長期存儲任務(wù)。甚至還可能成為通用性存儲介質(zhì)，取代DRAM甚至硬盤的位置。

　　憶阻器存儲

     提供報價

　　海力士的執(zhí)行副總裁兼手洗技術(shù)官SW博士表示：憶阻器的存儲容量是其他競爭者產(chǎn)品的數(shù)倍，其技術(shù)競爭力巨大。通過與惠普的憶阻器技術(shù)合作，我們可以提供全新的，更節(jié)能的產(chǎn)品，這將給客戶帶來高品質(zhì)的存儲產(chǎn)品。

　　這項技術(shù)是惠普的知識產(chǎn)權(quán)之一，我們這次與世界上一流的內(nèi)存供應(yīng)商海力士一起合作，意圖將這個全新的產(chǎn)品在市面上得到大規(guī)模普及。這同樣也是惠普實驗室研發(fā)能力的佐證。

　　亮點

　　這兩家公司都在極力開發(fā)新的材料和工藝，為集成電路的發(fā)展不斷努力。初的憶阻器技術(shù)將被用于ReRAM電阻隨機(jī)存取存儲器中。

　　這種新興的ReRAM是非易失性存儲器，具備低功耗的有點，可以取代目前的閃存芯片，在移動電話和MP3播放器領(lǐng)域大展拳腳。在未來它很可能成為非常普遍的存儲介質(zhì)，也就是我們常說的內(nèi)存、閃存，甚至是一塊高容量硬盤產(chǎn)品。