3G SFP光發(fā)射模塊設(shè)計(jì)原理與性能研究
出處:武漢理工大學(xué) 袁丹 發(fā)布于:2011-10-24 12:08:43
在傳統(tǒng)的演播環(huán)境中都是用同軸電纜傳輸未壓縮數(shù)字視頻信號(hào),而3G SFP光發(fā)射模塊的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)能使光纖代替同軸電纜進(jìn)行信號(hào)傳輸。SFP光發(fā)射模塊又稱小型可熱插拔光發(fā)射模塊,它的作用是通過模塊內(nèi)的發(fā)射組件TOSA將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),使得信號(hào)可以用光纖進(jìn)行傳輸。
當(dāng)前,國內(nèi)外光發(fā)射模塊市場以2.5G為主,10G光發(fā)射模塊和40G光發(fā)射模塊也在迅速地發(fā)展。對于傳輸高清數(shù)字視頻信號(hào)的SFP光發(fā)射模塊,僅支持速率為1.485 Gbps的1080i和720p視頻信號(hào),3G SFP的研究則針對全高清1080p視頻信號(hào),速率達(dá)2.97 Gbps.
本文研究了3G SFP光發(fā)射模塊,其作用是將速率為2.97 Gbps的數(shù)字視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),用光纖傳輸代替?zhèn)鹘y(tǒng)的同軸電纜傳輸,不僅大大地節(jié)約了基礎(chǔ)設(shè)備的資金投入,同時(shí)也給管理員維護(hù)升級(jí)帶來了便利。
1 光發(fā)射模塊基本原理
這里的3G指的是3G SDI串行鏈路標(biāo)準(zhǔn)。串行數(shù)字接口(Serial Digital Interface,SDI)是ITUR BT.656以及移動(dòng)圖像和電視工程師協(xié)會(huì)(SMPTE)提出的串行鏈路標(biāo)準(zhǔn),在演播環(huán)境中通過75 Ω同軸電纜來傳輸未壓縮的數(shù)字視頻。該標(biāo)準(zhǔn)的版是SMPTE 259M.隨著1080i和720p等高清視頻標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn),對接口進(jìn)行了調(diào)整以處理更高的1.485 Gbps數(shù)據(jù)速率,由SMPTE 292M進(jìn)行定義。幸運(yùn)的是,為了支持1080p和數(shù)字影院等分辨率更高的圖像質(zhì)量,SMPTE批準(zhǔn)了名為SMPTE 424M[1]的新標(biāo)準(zhǔn),SDI數(shù)據(jù)速率達(dá)到了2.97 Gbps,這一標(biāo)準(zhǔn)也稱為3G SDI.
3G SFP光發(fā)射模塊的設(shè)計(jì)要滿足SFP MSA多源協(xié)議[2]和SFF8472協(xié)議的要求。該發(fā)射模塊主要由TOSA及LD驅(qū)動(dòng)電路組成。TOSA即光發(fā)射組件,包括激光器LD和光電二極管PD,其作用是把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào),而LD驅(qū)動(dòng)電路用于驅(qū)動(dòng)控制LD.首先,輸入模塊的電信號(hào)由LD驅(qū)動(dòng)電路接收,并調(diào)制到LD的驅(qū)動(dòng)電流上,驅(qū)動(dòng)激光器發(fā)出帶有數(shù)據(jù)調(diào)制信號(hào)的激光。LD驅(qū)動(dòng)電路具備自動(dòng)功率控制(APC)功能,可通過檢測背光二極管產(chǎn)生的光電流來實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制。通過APC環(huán)路,LD驅(qū)動(dòng)電路可動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)LD驅(qū)動(dòng)電流的大小。
作為發(fā)射模塊的重要功能部件的選擇,必須依據(jù)各類型光源器件的特點(diǎn)和匹配性能需求來進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。常用光源的半導(dǎo)體發(fā)光器件主要有3種:LED發(fā)光管、FP激光器、DFB激光器。它們各自特點(diǎn)如下:LED發(fā)光管輸出光功率低、發(fā)散角大、光譜寬、調(diào)制速率低、價(jià)格低廉,適合短距離通信;FP激光器輸出光功率大、發(fā)散角較小、光譜較窄、調(diào)制速率高,適合中距離通信;DFB激光器是在FP激光器的基礎(chǔ)上采用光柵濾光器件使其只有一個(gè)縱模輸出,性能優(yōu)于FP激光器,成本較高,用于長距離通信。
3G SFP光發(fā)射模塊主要用于在演播室環(huán)境中傳輸高清視頻信號(hào),傳輸距離不會(huì)超過10 km.綜合考慮,選擇1310 nm FP型激光器作為TOSA的激光器。
在LD驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上,采用MCU加外圍電路的方式。 MCU芯片采用ADN2873,該款芯片完全符合SFF8472要求,工作速率為50 Mbps~4.25 Gbps,內(nèi)帶自動(dòng)功率控制環(huán)路,3.3 V供電,滿足3G SFP光發(fā)射模塊的數(shù)據(jù)速率要求。
2 光發(fā)射功能的主要性能研究
在光發(fā)射模塊中,激光二極管是半導(dǎo)體器件。溫度升高時(shí),它的閾值電流增大,光功率電流曲線斜率就降低。光功率電流(PI)曲線如圖1所示。

圖1 光功率電流(PI)曲線
設(shè)計(jì)光發(fā)射模塊重要的指標(biāo)是模塊的平均光功率和消光比。要使所設(shè)計(jì)的光發(fā)射模塊工作穩(wěn)定,就要保證平均光功率和消光比維持在一個(gè)穩(wěn)定的范圍內(nèi)。
平均光功率PAVG用公式表示為:

其中,P1表示高電平時(shí)光功率,P0表示低電平時(shí)光功率。APC環(huán)路通過調(diào)節(jié)偏置電流變化可以維持PAV的穩(wěn)定。消光比ER的公式:

要想穩(wěn)定ER就要知道P1和P0.在知道平均光功率PAVC的情況下,由于光幅度功率PPP是光功率與光功率的差值(即PPP=P1-P0),因此,P1和P0可以用PAVG和PPP表示,即消光比的穩(wěn)定與平均光功率和光幅度功率有關(guān),在驅(qū)動(dòng)電路中通過調(diào)節(jié)調(diào)制電流變化維持PPP穩(wěn)定。
ADN2873內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示。ADN2873內(nèi)置APC自動(dòng)功率控制環(huán)路,外接MPD背光二極管后形成一個(gè)閉環(huán)反饋回路。當(dāng)輸出平均光功率變化時(shí),流過MPD二極管的電流也相應(yīng)地發(fā)生變化,APC環(huán)路根據(jù)這種變化相應(yīng)調(diào)整偏置電流大小,達(dá)到穩(wěn)定平均光功率的目的。在ADN2873中,反饋電流IMPD就是引腳PAVSET到地的電流。設(shè)計(jì)時(shí)PAVSET外接電阻,反饋電流IMPD等于PAVSET端電壓與該電阻的比值,而PAVSET端電壓是芯片內(nèi)部固定電壓(為1.2 V),所以只需要知道外接電阻的大小就能確定IMPD的大小。APC電路根據(jù)IMPD的變化自動(dòng)調(diào)節(jié)偏置電流,保證平均光功率穩(wěn)定。

圖2 ADN2873內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
同樣,在引腳ERSET外接電阻RERSET.由圖2可知,標(biāo)準(zhǔn)電壓12 V經(jīng)過了100倍的放大,那么調(diào)制電流IMOD=1.2 V×100/RERSET.RERSET是熱敏電阻,當(dāng)模塊溫度改變時(shí),熱敏電阻改變電阻值以補(bǔ)充激光器隨溫度影響的變化,通過校準(zhǔn)溫度系數(shù)值來穩(wěn)定調(diào)制電流,從而達(dá)到維持消光比穩(wěn)定的目的。
3 測試結(jié)果及分析
測試中用模擬的pathological圖樣信號(hào)作為測試信號(hào),給3G SFP光發(fā)射模塊提供2.97 Gbps的pathological圖樣信號(hào),測試溫度為常溫25 ℃,供電電壓為3.3 V,選用4.25G濾波器。發(fā)射光眼圖如圖3所示。從圖3可以看到清晰的眼圖,同時(shí)可以讀出峰峰抖動(dòng)值為72.11 ps,上升時(shí)間為123.4 ps,下降時(shí)間為135.7 ps,上升時(shí)間不得超過165 ps,下降時(shí)間不得超過180 ps,即所設(shè)計(jì)的3G SFP光發(fā)射模塊可滿足傳輸3G SDI信號(hào)的要求。

圖3 發(fā)射光眼圖
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









