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基于霍耳效應的電機控制芯片設計

出處:kcl123 發(fā)布于:2010-03-19 10:48:01

  摘要:本文論述了基于霍耳效應傳感芯片的電路設計原理和方法,并以0.5um, 雙層金屬,65V高壓CMOS工藝實現(xiàn),電路實現(xiàn)了包括磁滯,防相位鎖死與自動重啟動等功能,并注意了功率輸出管的電壓鉗位,以及減少尖峰電流的發(fā)生。

  1879 年,馬里蘭州立大學研究生霍耳發(fā)現(xiàn):沿x 方向流過的電流受到其垂直方 向(z 方向)的磁場作用時,帶電離子會受到y(tǒng) 方向的磁力影響而產(chǎn)生電勢積累, 這就是霍耳效應。其中產(chǎn)生的電勢差被稱為霍耳電壓。由于變化的磁場會產(chǎn)生變 化的電場,那么,利用霍耳效應做磁場監(jiān)測是可行的,事實上也是目前普遍采取 的方法?;诨舳膫鞲?控制芯片廣泛應用在電機控制、手機、電流及磁 場測量等領域。

  實際應用中,常用于PC 散熱等用途的直流無刷電機,由于外部障礙物等因素, 可能異常停止運轉。電機控制芯片需要通過霍耳傳感器對磁場相位監(jiān)測,判別異 常停轉情況,及時關閉電機并延時重啟,以便電機能夠恢復正常工作。

  圖1 給出了霍耳效應芯片的設計框圖,由霍耳感應單元得到與磁場變換相關的電 壓信號,經(jīng)放大器放大及磁滯比較器判別,控制邏輯監(jiān)測電機的運行狀態(tài),做出 關斷或延時自啟動等功能,功率輸出管驅動外部電機工作。

  圖1 霍耳效應芯片的系統(tǒng)框圖

  通常,電機需要在較寬的電壓范圍工作。在本設計中,目標要求芯片能夠工作在 3.3V~28V 的電壓范圍,并且當電機控制電壓高于54.7V 時,將輸出電壓鉗位防 止燒毀電機。

  芯片工作電壓由其內(nèi)部電壓源產(chǎn)生,而常見的帶隙基準很難在這樣寬的電壓范圍 內(nèi)正常的工作。因此,設計中采用三極管時代流行的齊納二極管鉗位方法產(chǎn)生電 壓源,如圖2 所示。這種電壓源可以在很寬的電壓范圍工作,但也有電流消耗較 大,且輸出隨電源電壓、溫度變化較大等諸多缺點。所幸在電機應用中,這些缺 點是次要的。

  當電壓VIN 高于齊納管的反向擊穿電壓(一般約為6~7V,這里取6.5V)后,Vz 電壓被鉗制在6.5V,R1 起到限流的作用。而VIN 低于6.5V 而高于一定值,M1 也可以導通,使得VCC 有電壓,同樣可使內(nèi)部電路工作。其中,M1,M2,M3 皆為 高壓器件。經(jīng)過適當設計,該電壓源可以在3V~65V 之間工作。

  圖2 內(nèi)部電壓源的產(chǎn)生

  霍耳感應單元常用的形狀和工藝材料等有多種,此設計使用正方形外形并基于無 特殊摻雜的CMOS 工藝。 在圖3 左圖中,電流自+Vs 流向地端,磁場垂直于該片面,則將在方形的另外兩頂點之間會形成霍耳電壓Vo1。而通過開關控制,在下 一時刻,電流流向及霍耳電壓取向改為右圖所示,這樣也能夠消除硅片的壓電電 阻(⊿R)效應。這樣較其他設計中常見的采用2 個或4 個霍耳感應單元消除壓電 電阻效應的方法更省面積,復雜度也有所減小。

  圖3 霍耳感應單元

  感應的霍耳電壓經(jīng)過放大器放大和磁滯比較器輸出相應的數(shù)字信號,交由芯片控 制邏輯部分處理。為克服電機工作中的意外停止,本設計包含了防鎖死及自動重 啟機制。該機制根據(jù)比較器輸出信號相位的改變進行邊沿監(jiān)測、計數(shù)、重置等工 作,與其他邏輯信號來判斷芯片的工作狀態(tài)。

  圖4 防鎖死重啟電路及時序

  防鎖死重啟電路及時序如圖4 所示,CompA 經(jīng)過延遲后與延遲之前信號進行異或 運算,即可監(jiān)測出脈沖邊緣變化。若使用1MHz 的時鐘信號,計數(shù)器持續(xù)計數(shù)到2^18=262,144us 時,電路進入鎖死狀態(tài)。21 位計數(shù)器繼續(xù)工作直到溢出,其間 時間差為2^21-2^18=1,835,008us,約1.8 秒后嘗試重啟,直到電機正常工作。

  作為電機控制芯片,設計要求對輸出功率管的開關按照一定邏輯順序進行,并且 需要監(jiān)視防鎖死重啟電路的輸出,以及控制功率管的死區(qū)(dead zone)時間等。 這些功能由芯片邏輯控制部分完成,該部分簡化電路如圖5 所示。Comp 信號為 經(jīng)過處理的磁滯比較器的輸出,Osc 信號來自振蕩器,H_peak 信號是計數(shù)器的輸 出,Reset 及其反信號是重啟動控制信號。當正常工作時,開關SW1 及SW3 有效; 當系統(tǒng)需要重啟動時,開關SW2 及SW4 有效。由En 信號控制開關組選擇芯片處 于正常狀態(tài)或是重啟動狀態(tài),En 信號電平由防鎖死重啟邏輯判斷給出。

  圖5 控制邏輯簡化電路圖

  輸出驅動及保護電路如圖6 所示,芯片片內(nèi)部分由驅動電路、輸出功率管、電壓 鉗位二極管構成。由于輸出功率管尺寸較大,需要驅動電路使其正常工作。其驅 動電路通常有串接的反向器串組成,且尺寸逐級增大。當VIN 過高時,可能燒毀 輸出功率管或電機,這里電壓鉗位二極管串將Vout 鉗制在允許電壓。若要 求電壓為54.7V, 齊納二極管正向和反向導通電壓分別為0.7V 和6.5V, 那 么以3 個正向和8 個反向齊納二極管串接,則鉗位電壓約在3×0.7+8×6.5+ 0.6=54.7V。

  圖 6 輸出驅動及保護電路

  完成的芯片版圖如圖7 所示。該芯片采用0.5um, 雙層金屬,65V 高壓CMOS 工藝 實現(xiàn)。經(jīng)過測試,該芯片可以正常工作在2.8~28V 范圍,平均輸出電流可達 400mA。當電源電壓為24V 時,電流損耗為1.8mA,芯片面積650um×1140um。


  圖7 霍耳效應電機控制芯片版圖

  作者:湛偉 富士通微電子有限公司


  

參考文獻:

[1]. PC  datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/PC+_2043275.html.
[2]. M1  datasheet http://www.hbjingang.com/datasheet/M1+_2039447.html.


關鍵詞:基于霍耳效應的電機控制芯片設計電機控制芯片

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