場(chǎng)效應(yīng)管放大器實(shí)驗(yàn)原理
出處:jekewen 發(fā)布于:2008-09-17 16:01:37
場(chǎng)效應(yīng)管是一種較新型的半導(dǎo)體器件,其外形與普通晶體管相似,但兩者的控制特性截然不同。普通晶體管是電流控制元件,通過(guò)控制基極電流達(dá)到控制集電極電流或發(fā)射極電流的日的,即信號(hào)源必須提供一定的電流才能I作。因此,它的輸入電阻較低,僅有幾千歐。場(chǎng)效應(yīng)管則是電壓控制元件。它的輸出電流決定于輸入端電壓的大小,基本上不需要信號(hào)源提供電流,所以它的輸入電阻很高,可高達(dá)109~1010Ω,這是它的突出特點(diǎn)。此外,場(chǎng)效應(yīng)管還具有熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲系數(shù)小等優(yōu)點(diǎn),所以現(xiàn)在已被廣泛應(yīng)用于放大電路和數(shù)字電路中。場(chǎng)效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型和絕緣柵型兩種。本次實(shí)驗(yàn)用的是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ6F。
1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線和參數(shù)
?。?)輸出特性。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性是指在柵源電壓VGs—定的情況下,漏極電流iD與漏源電壓VDS之問(wèn)的關(guān)系曲線,如圖1(a)所示。
?。?)轉(zhuǎn)移特性。所謂轉(zhuǎn)移特性是在一定漏源電壓VDs下,柵源電壓UGS對(duì)漏極電流iD的控制特性曲線,如圖1(b)所示。
?。?)直流參數(shù)主要有飽和漏極電流IDSS,夾斷電壓UP等。表一為3DJ6F典型的參數(shù)值及測(cè)試條件。
(4)交流參數(shù)主要有低頻跨導(dǎo)gm,即


圖1 N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移曲線

表一 3DJ6F典型參數(shù)值
2.場(chǎng)效應(yīng)管放大器的性能指標(biāo)分析
圖2為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管組成的共源極放大電路。

注意,gm也可由特性曲線用作圖法求得。

圖2 場(chǎng)效應(yīng)管共源極放大電路
3.輸入電阻的實(shí)驗(yàn)測(cè)量方法
理論上講,單管放大器測(cè)量性能指標(biāo)的方法,場(chǎng)效應(yīng)放大器都適用,但是場(chǎng)效應(yīng)管的ri比較大,如果直接洳輸入電壓Us和Ui,則限于測(cè)量?jī)x器輸入電阻有限,必然會(huì)帶來(lái)較大的誤差,因此為了減小誤差,常利用被測(cè)放大器的隔離作用,通過(guò)測(cè)量輸出電壓u。來(lái)計(jì)算輸入電阻。即在信號(hào)源與放大器輸入端之間串入已知電阻R,測(cè)量放大器的輸出電壓U01=AVUS.保持US不變,再把R短路(即使R=o),測(cè)量放大器的輸出電壓U02。由于兩次測(cè)量中AV和US,保持不變,故
式中,R和ri不要相差太大,本實(shí)驗(yàn)可取R=100~200KΩ
上一篇:并行端接技術(shù)
下一篇:串行端接技術(shù)
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 汽車電子常用電子元器件選型指南2026/4/13 16:04:25
- MOSFET驅(qū)動(dòng)與隔離方案設(shè)計(jì)2026/4/13 15:12:18
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析2026/4/13 13:48:56
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法2026/4/10 10:56:32
- PCB焊盤與過(guò)孔設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范(含可焊性與可靠性保障)
- 汽車電子常用電子元器件選型指南
- MOSFET驅(qū)動(dòng)與隔離方案設(shè)計(jì)
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法









