適用于超高頻RFID系統(tǒng)的室內(nèi)傳播模型
出處:zhangsifu 發(fā)布于:2008-12-09 10:24:47
室內(nèi)信道有兩個(gè)主要的特征:覆蓋距離小,環(huán)境變動(dòng)大。建筑物內(nèi)傳播受到諸如建筑物布置、材料結(jié)構(gòu)和建筑物類型等因素的強(qiáng)烈影響,室內(nèi)無(wú)線傳播的機(jī)理仍然是:反射、繞射和散射,但是,條件卻不同。例如,信號(hào)電平很大程度上依賴于建筑物內(nèi)門是開(kāi)是關(guān)。天線安裝在何處也影響大尺度傳播。同樣,較小的傳播距離也使天線的遠(yuǎn)場(chǎng)條件難以滿足。
一般來(lái)說(shuō),室內(nèi)信道分為視距(LOS)或阻擋(OBS)兩種,并隨著環(huán)境雜亂程度而變化。下面列出適用于超高頻RFID系統(tǒng)的一些主要模型。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 物聯(lián)網(wǎng)邊緣計(jì)算網(wǎng)關(guān)技術(shù)特性與部署運(yùn)維指南2026/1/6 10:44:20
- 物聯(lián)網(wǎng)云平臺(tái)技術(shù)架構(gòu)與選型運(yùn)維指南2025/12/30 10:05:07
- 工業(yè)級(jí)物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)技術(shù)參數(shù)與選型及運(yùn)維指南2025/12/23 9:51:05
- 什么是IIoT,IIoT的知識(shí)介紹2025/6/3 17:22:31
- 物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域:新興薄膜技術(shù)的潛力與挑戰(zhàn)2025/5/12 15:18:17
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)中的EMI問(wèn)題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見(jiàn)問(wèn)題分析









