集成光電子學無論在技術還是成本上都占有優(yōu)勢。對于III-V族化合物來說，硅材料和SOl（硅在絕緣體上）在基片處理成本，封裝密度等方面均占有優(yōu)勢。微電子工藝的發(fā)展水平使得集成光學的工藝很容易實現。目前集成光學的特征尺寸一般為1～2 gm，也不過亞微米量級，而微電子目前65 nm的工藝已經開始了，這使得硅的制作工藝難度和成本均較其他材料占有優(yōu)勢。硅是制作無源光器件的選擇，但對有源器件來說，還任重而道遠。硅發(fā)光目前效率還較低，但也不斷的有驚喜出現，發(fā)光器件如英特爾的拉曼放大器，美國俄亥俄州立大學的混合集成硅激光器等；由于硅探測的光波長約為850 nm，所以它在近紅外波段無法應用。但如果與其他硅器件集成，實現自發(fā)自收功能，便可以不受這方面的限制了，目前這方面的研究也如火如荼。硅基于熱光效應和等離子色散效應的調制器件雖然在速率上與電場調制的器件無法相比，但也可以達到幾十MHz，完全可以滿足一般的應用場合。由于硅和氧化硅之間較大的相對折射率差，使得SOl可以做成小尺寸的光波導和光波導器件，非常適合于集成。

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