穿通效應(yīng)（Reach-Through Effect）。當兩個與襯底的摻雜類型不同的阱相鄰時，穿通效應(yīng)的影響就會很重要。當兩個阱中電路為模擬電路時，阱的電位可能互不相同。當兩個阱的電位之差足夠大時，阱的耗盡區(qū)向外擴展并可能相互接觸，如圖1所示。從而在兩個阱之間形成穿通電流，造成模擬電路直流工作點偏移。如果襯底是輕摻雜的外延層，那么就更容易形成較寬的耗盡區(qū)，也就是說，在版圖設(shè)計的時候，同類型阱之間的距離要比普通的CMOS工藝所規(guī)定的值稍微大一些。

　　圖1  相同類型阱之間的穿通效應(yīng)

　　綜上所述，在這種結(jié)構(gòu)的OEIC中，外延層的厚度和雜質(zhì)濃度需要根據(jù)具體的需要進行優(yōu)化。應(yīng)針對速度、響應(yīng)度、吸收光波長等指標選擇適當?shù)耐庋訁?shù)。同樣，ARC的選擇也應(yīng)是針對某一特定光譜范圍的。當光電單片集成的技術(shù)達到產(chǎn)業(yè)化目標的時候，可以要求晶圓代工廠提供類似MOS晶體管SPICE模型參數(shù)的光電特征參數(shù)，或者是建立標準的光電器件庫，設(shè)計者可以根據(jù)需要選擇不同的工藝參數(shù)實現(xiàn)光電集成。在電路部分，輕摻雜外延層使得針對閂鎖效應(yīng)的部分版圖設(shè)計規(guī)則也需要作些微小的改動，此外，靜電保護（ElectrostaticDischarge，ESD）與高阻外延上阱間距等設(shè)計規(guī)則也需要晶圓代工廠特別地指出來。我們所希望的就是在未來光電子領(lǐng)域也能實現(xiàn)Fabless＋Foundry的產(chǎn)業(yè)模式，為飛速發(fā)展的信息技術(shù)提供更先進、更廉價的光電子器件。

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