光電P型叉指結構二極管
出處：qinjinzhi 發(fā)布于：2008-12-02 10:19:51
CMOS光電探測器的響應時間較慢是高速光電接收器單片集成的主要障礙。由于硅對波長肛638 nm吸收深度較深（約10 gm），同時CMOS工藝中源漏注入形成的pn結結深較淺（＜1 gm），因此大量的光生載流子是在pn結外的體硅內產生，這些載流子緩慢的擴散運動是影響探測器速率的主要因素，如果能將這些載流子屏蔽掉，就能獲得較高的速率。然而，獲得高速率的同時，大部分產生在空間電荷區(qū)外的載流子對光信號電流沒起作用，無疑降低了探測器的量子效率，導致響應度不高。
圖1給出了一種基于標準CMOS工藝的叉指型光電探測器結構［54～56］，N阱區(qū)的面積被定義為探測器的面積，N阱周圍用蘆保護環(huán)包圍。N阱中，利用P+擴散區(qū)作為叉指型探測器的陽極區(qū)域，這種拓撲圖形有利于形成化的pn結耗盡區(qū)，從而有利于光生載流子的收集，尤其是在器件表面附近的載流子。N阱電極與探測器反向偏壓相接，一方面可以調節(jié)P+-N阱耗盡區(qū)的寬度，另一方面也可以使N阱-P襯底反偏，從而達到屏蔽擴散載流子的作用。
圖1 P型叉指結構光電二極管
歡迎轉載，信息來自維庫電子市場網（www.hbjingang.com）
上一篇：雙光電二極管（DPD）
下一篇：二維器件模擬光電探測器的結構
版權與免責聲明
凡本網注明“出處：維庫電子市場網”的所有作品，版權均屬于維庫電子市場網，轉載請必須注明維庫電子市場網，http://www.hbjingang.com，違反者本網將追究相關法律責任。
本網轉載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點或證實其內容的真實性，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時，必須保留本網注明的作品出處，并自負版權等法律責任。
如涉及作品內容、版權等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內與本網聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
- LED照明技術特性與選型運維指南2026/1/5 10:26:27
- 工業(yè)觸摸屏選型與現(xiàn)場應用技術指南2025/12/22 11:44:57
- 顯示器色深 6Bit、8Bit、10Bit 與 6 抖 8、8 抖 10、FRC2025/8/28 15:29:32
- Micro-LED技術解析2025/8/26 17:21:56
- LED顯示屏標清、高清、超清、1080P與4K的解析2025/8/8 17:05:00
