光電SAM-APD探測器
出處:kcl123 發(fā)布于:2008-12-01 11:33:03
載流子在倍增過程中會引起隧穿電流使APD噪聲顯著增加,特別是當(dāng)倍增區(qū)的禁帶寬度較窄時,這種隧穿電流變得相當(dāng)可觀,嚴(yán)重影響了APD的噪聲特性。為了減小這種隧穿電流,人們設(shè)計了一種將吸收區(qū)和倍增區(qū)分開(Separate Absorption and Multiplication,SAM)的雪崩二極管,如圖1(a)所示囫。和圖1(a)一樣,該結(jié)構(gòu)表面也是一層透明的InP層,所不同的是它含有InP的pn結(jié),同時只含一層InGaAsP吸收層并無InGaAsP的pn結(jié)。其電場分布如圖1(b)所示,我們發(fā)現(xiàn)InP pn結(jié)區(qū)域電場,而InGaAsP層的電場較小。因此在InGaAsP中只吸收入射光產(chǎn)生光生載流子并不發(fā)生雪崩電離效應(yīng),只有當(dāng)光生載流子被耗盡區(qū)電場掃向InP pn結(jié)區(qū)域時才在強(qiáng)電場作用下發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)。由于隧穿電流隨禁帶寬度的增加呈指數(shù)下降,InP的禁帶寬度大于InGaAsP禁帶寬度,所以這種結(jié)構(gòu)的隧穿電流大大減小了。

圖1 SAM-APD
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來源維庫電子市場網(wǎng)(www.hbjingang.com)
下一篇:光電MSM探測器
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- LED照明技術(shù)特性與選型運(yùn)維指南2026/1/5 10:26:27
- 工業(yè)觸摸屏選型與現(xiàn)場應(yīng)用技術(shù)指南2025/12/22 11:44:57
- 顯示器色深 6Bit、8Bit、10Bit 與 6 抖 8、8 抖 10、FRC2025/8/28 15:29:32
- Micro-LED技術(shù)解析2025/8/26 17:21:56
- LED顯示屏標(biāo)清、高清、超清、1080P與4K的解析2025/8/8 17:05:00
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









