載流子在倍增過程中會引起隧穿電流使APD噪聲顯著增加，特別是當(dāng)倍增區(qū)的禁帶寬度較窄時，這種隧穿電流變得相當(dāng)可觀，嚴(yán)重影響了APD的噪聲特性。為了減小這種隧穿電流，人們設(shè)計了一種將吸收區(qū)和倍增區(qū)分開（Separate Absorption and Multiplication，SAM）的雪崩二極管，如圖1（a）所示囫。和圖1（a）一樣，該結(jié)構(gòu)表面也是一層透明的InP層，所不同的是它含有InP的pn結(jié)，同時只含一層InGaAsP吸收層并無InGaAsP的pn結(jié)。其電場分布如圖1（b）所示，我們發(fā)現(xiàn)InP pn結(jié)區(qū)域電場，而InGaAsP層的電場較小。因此在InGaAsP中只吸收入射光產(chǎn)生光生載流子并不發(fā)生雪崩電離效應(yīng)，只有當(dāng)光生載流子被耗盡區(qū)電場掃向InP pn結(jié)區(qū)域時才在強(qiáng)電場作用下發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)。由于隧穿電流隨禁帶寬度的增加呈指數(shù)下降，InP的禁帶寬度大于InGaAsP禁帶寬度，所以這種結(jié)構(gòu)的隧穿電流大大減小了。

　　圖1  SAM-APD

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