雪崩光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)和能帶

出處：shiny_li 發(fā)布于：2008-12-01 11:13:11

　　在波長(zhǎng)為1.55 gm的長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域，由于鍺光電探測(cè)器遇到暗電流較大等問題，人們便轉(zhuǎn)向使用InP基材料。在InP襯底上生長(zhǎng)InGaAsP，通過調(diào)整化合物組分含量使它能在1.2～1.6 gm波長(zhǎng)范圍內(nèi)工作。圖1所示是早出現(xiàn)的InGaAsP/InP雪崩光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)和能帶示意圖LZII。在p^＋-InP上生長(zhǎng)n-InGaAsP，再通過襯底注入鋅形成InGaAsP的pn結(jié)，覆蓋一層n-InP。這種襯底和表面層都是寬禁帶低阻層結(jié)構(gòu)減小了串聯(lián)電阻，阻止了光生載流子向表面擴(kuò)散引起的復(fù)合。

　　圖1 InGaAsP/InP雪崩光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)和能帶

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