ULSI多層銅布線鉭阻擋層及其CMP拋光液的優(yōu)化--摘自.semiait. 摘要：分析了銅多層布線中阻擋層的選取問(wèn)題，根據(jù)銅鉭在氧化劑存在的情況下，拋光速率對(duì)pH值的不同變化趨勢(shì)，提出優(yōu)化堿性拋光液配比進(jìn)而改變pH值，以達(dá)到銅鉭拋光一致性的方法，并進(jìn)行了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)研究。 1 前言 由于鋁自身的性質(zhì)，導(dǎo)致傳統(tǒng)的鋁布線工藝制作的器件經(jīng)常會(huì)因鋁的電遷移而失效，隨著ULSI特征尺寸的進(jìn)一步減小，布線層數(shù)增加、寬度也隨之變細(xì)，這個(gè)問(wèn)題也變得更加突出。而銅的多層布線恰恰能避免這一問(wèn)題的出現(xiàn)，因此在深亞微米工藝中（0.18μm及以下），銅將逐步代替鋁成為硅片上多層布線的材料�，F(xiàn)在，已被普遍承認(rèn)的是，對(duì)于特征尺寸在0.35μm及以下的器件，必須進(jìn)行全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是的也是的全局平面化技術(shù)。 銅與傳統(tǒng)的鋁及其合金相比主要有以下一些優(yōu)點(diǎn)[1]：較低的電阻率（Cu：1.68 μΩ·cm ；A1：2.66～4.0 μΩ·cm）；更好的抗電遷移能力；更高的熔點(diǎn)（1358℃），更高的熱傳導(dǎo)系數(shù)（Cu：398W/m；A1：238W/m）。但是銅本身也有一些缺點(diǎn)：易氧化，易與周圍的環(huán)境發(fā)生反應(yīng)；與介質(zhì)層的粘結(jié)性差以及很關(guān)鍵的是銅易擴(kuò)散進(jìn)入硅與二氧化硅，并且在較低的溫度下就會(huì)形成銅與硅的化合物。銅擴(kuò)散進(jìn)入硅會(huì)成為深能級(jí)的雜質(zhì)，影響器件的可靠性；硅擴(kuò)散入銅將增加銅的電阻率。因此要成功實(shí)現(xiàn)硅芯片上的銅金屬化布線，首先應(yīng)找到一種能有效阻擋銅硅互擴(kuò)散的材料。 大量的難熔金屬及其二元、三元化合物都被研究作為阻擋材料。如Ti，TiN，WNx，Ta，TaNx，TaCx，TaSiN，WSiN。這些材料中，鉭有較高的電導(dǎo)率，性質(zhì)不活潑，在高溫下也不與銅和二氧化硅反應(yīng)生成合金，有很高的熔點(diǎn)（2996℃），與介質(zhì)材料有良好的粘結(jié)性，因此成了銅硅之間阻擋層的選擇。鉭（Ta）有體心立方晶體結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)a=32.959nm，除氫氟酸、發(fā)煙硫酸和強(qiáng)堿外，在室溫附近幾乎能抗所有鹽溶液和無(wú)機(jī)酸的腐蝕。鉭的主要物理和機(jī)械性質(zhì)見(jiàn)表1[2] 。 2 兩步拋光原理及終拋拋光液 優(yōu)化依據(jù) 2.1 銅鉭兩步拋光原理分析 在銅多層布線CMP過(guò)程中，如果使用一種拋光液和拋光條件，在CMP剛開始時(shí)拋光速率相對(duì)很快，拋到鉭層時(shí)，因?yàn)殂g的拋光速率較低，銅的拋光速率較高，這樣必然行成碟型坑。碟形坑的出現(xiàn)降低了金屬線的厚度，增大了布線電阻，進(jìn)而降低了器件的可靠性。為此，國(guó)際上常采用二拋方法 [3]，即初拋和終拋，來(lái)避免這一問(wèn)題。 初拋要求銅的拋光速率相對(duì)較快，拋光液大速率地去除過(guò)多的銅，達(dá)到全局平面化。為此，我們?cè)O(shè)計(jì)的銅的化學(xué)機(jī)械拋光動(dòng)力學(xué)為化學(xué)控制。即機(jī)械作用充分，化學(xué)作用不夠，拋光液中，通過(guò)控制組分含量的變化來(lái)控制CMP的工藝參數(shù)。采用的過(guò)程為：磨料粒度小、濃度大、轉(zhuǎn)速快、拋光布平而硬；流速很大，產(chǎn)物可溶情況下，一般化學(xué)作用較慢，所以反應(yīng)為化學(xué)過(guò)程控制。根據(jù)CMP初拋要求來(lái)解決化學(xué)控制的主要因素，我們?cè)O(shè)計(jì)的拋光漿料路線是：低氧化、強(qiáng)絡(luò)合；磨料小粒徑、高濃度。這樣就達(dá)到高速率、無(wú)污染、高選擇、低損傷、高平整和高潔凈的目的，可在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到全局平面化。 在終拋過(guò)程中以拋光液去除殘留的銅和阻擋層膜，為確�？山邮艿牧己肅MP形貌，關(guān)鍵在于獲得一個(gè)合理的銅鉭去除速率。鉭是惰性金屬，要想通過(guò)提高化學(xué)作用來(lái)提高它的CMP速率很不容易。因此，我們?cè)诔鯍仢{料的基礎(chǔ)上提高機(jī)械作用、降低對(duì)銅的化學(xué)作用來(lái)降低銅的CMP速率，并以低氧化、加快生成鉭的可溶性鹽的反應(yīng)速率來(lái)提高鉭的CMP速率，以使CMP速率比達(dá)到Ta:Cu = 1:1。 2.2 拋光液優(yōu)化依據(jù) 文獻(xiàn)[4]中分析了Ta在 SiO 2和Al2O3拋光液中的拋光速率，提出在無(wú)氧化劑存在時(shí)，Ta的拋光速率，Ta的拋光速率隨著氧化劑的加入濃度的增加而減少。在水溶液中Ta表面易形成氧化層保護(hù)膜Ta2O5[5]。而在有氧化劑的情況下，加強(qiáng)了氧化層的形成，使氧化層變得更厚，因此鉭表面的抗蝕性更強(qiáng)[6]，拋光速率降低，更加難以去除。而在銅CMP中氧化劑濃度的增加，使銅的拋光速率增加。因此在對(duì)具有阻擋層金屬Ta的Cu拋光中，氧化劑的加入對(duì)Cu和Ta的拋光形成了矛盾，拋光液的成分優(yōu)化顯得尤為重要。 在終拋酸性拋光液中，銅表面形成的氧化鈍化層的結(jié)構(gòu)和成分因pH值不同而不同。低pH值時(shí)銅表面鈍化層為多孔易滲透的Cu2O膜；高pH值時(shí)為致密緊湊的CuO膜，該膜能阻止銅離子從基質(zhì)金屬中擴(kuò)散。銅的氧化物在pH值為2～4的Cu－H2O系統(tǒng)中熱力學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定。因此隨著pH值的升高，由于銅表面膜鈍化程度的提高，銅的拋光速率逐漸降低。拋光液的pH值對(duì)鉭的去除速率也有非常強(qiáng)的影響。在氧化劑存在時(shí)，鈍化表面層的性質(zhì)支配著金屬去除過(guò)程[4]，堿性拋光液情況下，鉭的拋光速率隨著pH值（>10）的增加而增加。低pH時(shí)鉭的表面生成的鈍化層要比高pH值時(shí)生成的鈍化層更具有保護(hù)性。而在pH值剛超過(guò)10時(shí)鉭的拋光速率陡增，因此在超過(guò)該值時(shí)鈍化層的性質(zhì)發(fā)生了改變，此時(shí)的鈍化層變得較軟而容易被拋光液去除。 從上面的討論可知，氧化劑存在時(shí)，Ta的拋光速率隨著pH值的升高而升高，在相同條件下，Cu的拋光速率隨著pH值的升高而下降。在我們選取的堿性拋光液中，減小氧化劑的作用，絡(luò)合充分的前提下，因?yàn)檠趸�不充分而抑制了整個(gè)化學(xué)動(dòng)力學(xué)過(guò)程[7]的緣故，致使銅的拋光速率進(jìn)一步降低；而氧化劑作用的減小，使鉭表面抗蝕性強(qiáng)的氧化物的產(chǎn)生減小，有利于鉭的可溶性鹽類的形成，因而提高了鉭的拋光速率。這就是說(shuō)，通過(guò)優(yōu)化一些拋光液的配比特性，可以達(dá)到合適的銅對(duì)鉭的拋光選擇一致性。 3 實(shí)驗(yàn)分析 3.1 初拋實(shí)驗(yàn) 研制出的初級(jí)拋光液，初拋選擇性好，Ⅰ型以有機(jī)堿為絡(luò)合劑，Ⅱ型以醇胺為絡(luò)合劑，Ⅲ型是純化后的Ⅰ型。已進(jìn)行了上線試驗(yàn)。試驗(yàn)條件為，研磨機(jī)：壓力3.5pis，時(shí)間60s，ps/cs 35/40rpm；水拋機(jī)：壓力1.5pis，時(shí)間20s，ps/cs 60/65rpm。其測(cè)試結(jié)果如表2。 由以上結(jié)果可以看出，這種拋光液只適合初拋，在此過(guò)程中，銅的拋光速率很快，對(duì)氧化層和鉭層進(jìn)行CMP的選擇性很高（大于14:1），有利于迅速達(dá)到全局平面化，適合生產(chǎn)的要求。但是在終拋過(guò)程中，要求氧化層、銅層和鉭層拋光速率基本為1:1:1，因此需要研究適合終拋的拋光液。 3.2 終拋銅/鉭拋光液優(yōu)化實(shí)驗(yàn) 拋光設(shè)備：C6382I-W/YJ型二氧化硅拋光機(jī)。檢測(cè)設(shè)備：紅外測(cè)溫儀、電熱鼓風(fēng)箱和千分表。實(shí)驗(yàn)材料：表面上沉積900nm厚Ta層的硅單晶片，與硅單晶片等厚的銅片。 3.2.1 試驗(yàn)一 試驗(yàn)條件：壓力：1.9atm；溫度：25℃；漿料的流速：450mL/min；使用拋光液CMP時(shí)間：1min；水拋1min。取1kg硅膠，向其中加入1kg去離子水，再加入10mL螯合劑和10ml活性劑，攪拌均勻。 試驗(yàn)結(jié)果如表3。 由以上試驗(yàn)結(jié)果可以看出，未加氧化劑以降低氧化作用，同時(shí)通過(guò)降低對(duì)銅的絡(luò)合作用、提高機(jī)械作用（通過(guò)提高磨料的含量），可以明顯降低銅的CMP速率。氧化作用很低使鉭的CMP速率較高，可以滿足生產(chǎn)的要求。為了達(dá)到銅∶鉭等于1:1的要求，就需要再加入微量的絡(luò)合劑，來(lái)提高銅的CMP速率。 3.2.2 實(shí)驗(yàn)二 試驗(yàn)條件：壓力：1.9atm；溫度：25℃；漿料流速：450mL/min；拋光液拋時(shí)間：1min；水拋30s。 取1kg硅溶膠，加入1kg去離子水，再向其中加入25ml有機(jī)堿，攪拌均勻；再向其中加入10mL螯合劑和10mL活性劑，攪拌均勻。 試驗(yàn)結(jié)果如表4。 由以上試驗(yàn)結(jié)果可以看出，有機(jī)堿的加入對(duì)銅離子產(chǎn)生絡(luò)合作用，使銅的拋光速率有所上升，達(dá)到1000nm/min；對(duì)帶鉭層的單晶硅拋光速率也基本為對(duì)鉭的CMP速率，并且速率大小基本與銅的CMP速率一致。因此，這種拋光液適合ULSI多層布線金屬阻擋層的CMP。 由這兩個(gè)試驗(yàn)可以看出，在終拋過(guò)程中，提高機(jī)械作用，降低對(duì)銅的化學(xué)作用，可以達(dá)到鉭/銅的CMP速率為1:1。 4 小結(jié) 本實(shí)驗(yàn)中的拋光液為堿性拋光液，拋光液中的化學(xué)介質(zhì)為有機(jī)堿[8]，所選用的有機(jī)堿帶有羥基和雙胺基。拋光液中氧化劑及pH值對(duì)拋光速率有著重要的影響，由于銅與鉭自身性質(zhì)的原因，氧化劑與pH值對(duì)兩者的影響趨勢(shì)是不一樣的：有氧化劑存在時(shí)，Ta的拋光速率隨著pH值的升高而升高，在相同條件下，Cu的拋光速率卻隨著pH值的升高而下降。這就為優(yōu)化銅布線拋光液，以達(dá)到銅鉭的一致性并避免碟形坑的出現(xiàn)提供了保證，并且還可以進(jìn)一步進(jìn)行拋光截止點(diǎn)的相關(guān)研究。 參考文獻(xiàn): [1] 龐恩文，林晶，汪榮昌，等. 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