鐵電材料
出處：fanxw2008 發(fā)布于：2007-04-29 10:16:49
在對更快和更可靠的存儲器研究中，鐵電體成為一種可行的方案。一個存儲器單元必須用兩種狀態(tài)中的一種（開／關(guān)，高／低，0／1）存儲信息，能夠快速響應(yīng)（讀寫）和可靠地改變狀態(tài)。鐵電材料電容如PbZr1-xTxO3(PZT)和SrBi2Ta2O9(SBT)正好表現(xiàn)出這些特性。它們并入SiCMOS（參考第十六章）存儲電路叫做鐵電隨機存儲器（FeRAM）。５
Ge Si GaAs SiO2
原子質(zhì)量
每立方厘米原子數(shù)或摩爾
晶體結(jié)構(gòu)
單位晶格
密度
能隙
絕緣系數(shù)
熔點
擊穿電壓
熱膨脹線性系數(shù)
圖2.14 半導(dǎo)體材料的物理性能
Ge Si GaAs SiO2
原子質(zhì)量
每立方厘米原子數(shù)或摩爾
晶體結(jié)構(gòu)
單位晶格
密度
能隙
絕緣系數(shù)
熔點
擊穿電壓
熱膨脹線性系數(shù)
圖2.14 半導(dǎo)體材料的物理性能
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