1.1 pn結(jié)二極管的V-I特性

1.2 pn結(jié)二極管的V-I特性分析

1.3 典型硅pn結(jié)二極管的V-I特性

1.4 理想pn結(jié)模型

2 雙結(jié)晶體管的E-M模型

2.1 雙結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)及電流定義

2.2 注入型E-M模型

2.3 其它模型

3 四層三結(jié)結(jié)構(gòu)npn管的E-M模型

3.1 集成電路中npn管的四層三結(jié)結(jié)構(gòu)及分析

3.2 四層三結(jié)結(jié)構(gòu)中的電流分析

3.3 四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的E-M模型

4 摻金電路中晶體管的瞬態(tài)模型

4.1 四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的瞬態(tài)模型

4.2 摻金電路的瞬態(tài)摸型

課程重點(diǎn)：本節(jié)開始介紹了簡(jiǎn)單的硅二極管的伏安特性，從硅二極管的電流電壓關(guān)系公式，分析了它的正向特性和反向特性，由正向特性分析中可知，此時(shí)電流的大小除了與結(jié)上的正向電壓有關(guān)外還與結(jié)兩側(cè)攙雜濃度有關(guān)，從公式分析中表明，應(yīng)與攙雜濃度小的一側(cè)雜質(zhì)濃度有關(guān)，從硅二極管的伏安特性曲線進(jìn)而討論了它的理想情況，引出了理想pn結(jié)模型。由單結(jié)模型擴(kuò)展到雙結(jié)晶體管E-M模型,從兩種結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析，一種是當(dāng)基區(qū)足夠?qū)挄r(shí)，表現(xiàn)為兩個(gè)互不干擾的pn結(jié)二極管結(jié)構(gòu) ，這時(shí)可用單結(jié)模型分析兩結(jié)各自的伏安特性；另一種是當(dāng)基區(qū)足夠薄時(shí)，這時(shí)必須考慮兩結(jié)的互作用，伏安特性分析可知，兩結(jié)的結(jié)電流中除了各自的注入電流外還與相鄰結(jié)注入電流被本結(jié)吸收的部分有關(guān)系，雙結(jié)晶體管E-M模型是以后一種情況為依據(jù)建立的。進(jìn)而又?jǐn)U展到集成電路中的實(shí)際晶體管的四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的E-M模型，電路分析可知，一是多了一個(gè)pn結(jié)，二是認(rèn)為npn管基區(qū)足夠薄同時(shí)寄生pnp管基區(qū)（n型外延層）也足夠薄，這樣各結(jié)均要考慮相鄰結(jié)的互作用，據(jù)此建立了四層三結(jié)結(jié)構(gòu)晶體管的E-M模型。其中，重點(diǎn)是四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的E-M模型。在該模型中清晰的看到，由于寄生pn結(jié)的引入產(chǎn)生了寄生晶體管，而該寄生晶體管可影響集成電路的電性能，包括影響直流特性和瞬態(tài)特性。因?yàn)椴幌Ｍ纳绊懠呻娐返闹绷魈匦?，則根據(jù)上節(jié)的結(jié)論討論了如何消除這種有源寄生的影響，建立了摻金電路的瞬態(tài)模型，該電路模型采取了如下措施：npn管集電區(qū)摻金；npn管集電區(qū)設(shè)置高濃度n型埋層；p型襯底的電極S極接電路電位，因此，該電路模型消除了有源寄生，去除了部分無源寄生。

課程難點(diǎn)：集成電路中晶體管的四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的直流E-M模型和瞬態(tài)

E-M模型的建立，該二模型的電流和電壓分析，在該二模型中，有源寄生是如何影響集成電路直流特性和瞬態(tài)特性的分析。在應(yīng)用其直流特性時(shí)，怎樣可消除有源寄生的影響；而采用摻金工藝又如何可以簡(jiǎn)化瞬態(tài)模型。

基本概念：

1 αR-晶體管反向運(yùn)用時(shí)共基極短路電流增益。

2 αF-晶體管正向運(yùn)用時(shí)共基極短路電流增益。

3 注入型E-M模型-電路的端電流是以結(jié)的注入電流表述的。

4 傳輸型E-M模型-電路的端電流是以晶體管的少數(shù)載流子正向傳輸電流及晶體管的少數(shù)載流子反向傳輸電流表述的。

5 結(jié)電流-在E-M模型中流過結(jié)的電流，其大小與結(jié)電壓有關(guān)，有方向性。

6 端電流-在E-M模型中的外端口流過的電流，是相關(guān)結(jié)電流的綜合，也具有方向性。

基本要求：了解單結(jié)和雙結(jié)結(jié)構(gòu)的E-M模型，進(jìn)而了解四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的E-M模型，清楚注入型E-M模型與其它類模型定義和本質(zhì)上的區(qū)別。熟悉四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的直流E-M模型以及如何消除該模型中有源寄生的方法；了解四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的瞬態(tài)E-M模型，知道模型中影響瞬態(tài)特性的因素和集成電路制造中可能引入的影響瞬態(tài)特性的因素。熟悉直流模型V-I特性的電流和電壓分析，熟知電流電壓公式；熟知各種結(jié)構(gòu)的E-M方程。