IC設(shè)計(jì)與工藝制備之間的接口
制定目的：使芯片尺寸在盡可能小的前提下，避免線條寬度的偏差和不同層版套準(zhǔn)偏差可能帶來的問題，盡可能地提高電路制備的成品率
什么是設(shè)計(jì)規(guī)則？考慮器件在正常工作的條件下，根據(jù)實(shí)際工藝水平(包括光刻特性、刻蝕能力、對準(zhǔn)容差等)和成品率要求，給出的一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制，主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、凹口、面積等規(guī)則，分別給出它們的值，以防止掩膜圖形的斷裂、連接和一些不良物理效應(yīng)的出現(xiàn)。

對于雙極型集成電路，是以引線孔為基準(zhǔn)，尺寸規(guī)定如下(詳細(xì)見圖)：
①引線孔的尺寸為2 ×2 。
②金屬條的寬度為2 ，擴(kuò)散區(qū)(包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū))的寬度為2 ，
P+隔離框的寬度為2 ．
③擴(kuò)散區(qū)對引線孔各邊留有的富裕量大于或等于1  ，埋層對基區(qū)各邊應(yīng)留有的富裕量大于或等于1 。
④除N+埋層與P+隔離槽間的間距應(yīng)為4 外，其余的間距均為2 。這是因?yàn)镻+的隔離擴(kuò)散深度較深，故橫向擴(kuò)散也大，所以應(yīng)留有較大富裕量。

中速TTL電路版圖設(shè)計(jì)規(guī)則(μm)
套刻間距 5
隔離槽寬度 10
元件與隔離槽間距 18
埋層與隔離槽間距 18
基區(qū)和集電極孔間距 5
發(fā)射極孔 8×8
基極孔寬 8
集電極孔寬 8
電阻條寬 10
電阻條間間距 7
電阻引線孔 8×8
鋁條寬度(包括兩邊覆蓋2μm) 10
長鋁條間距 10
短鋁條間距 5
鍵合點(diǎn)面積 100×100
兩鍵合點(diǎn)間距 70
隔離槽外邊界與鍵合點(diǎn)之間的間距 150
劃片間距 400