1) IC對(duì)晶體管的要求
如同分立晶體管一樣，集成晶體管必須具有一定的耐壓，有良好的頻率特性，具有較低的噪聲系數(shù)，能承受一定的電流容量，具有低的rCS和VCES，這些參數(shù)的設(shè)計(jì)考慮與分立晶體管有一定的類似。但由于集成晶體管的集電極必須從上面引出，這就使rCS顯著增大。同時(shí)集成晶體管的集電極被pn結(jié)包圍，又存在著寄生電容和寄生pnp效應(yīng)，所以在分析集成晶體管特性時(shí)，必須考慮這些特性。
（1）擊穿電壓 V(BR)
V(BR)EBO≈6~9V，V(BR)CBO， V(BR)CEO
V(BR)CSO> V(BR)CBO，V(BR)CEO

（2）頻率特性
(3) 工作電流IEmax或ICmax
當(dāng)IE 達(dá)到IEmax(或相應(yīng)的ICmax 值)時(shí)，β就會(huì)下降。晶體管在大電流下工作時(shí)，基極電流也較大�；鶚O電流在橫向基區(qū)擴(kuò)展電阻上產(chǎn)生一個(gè)較大的電壓降，其結(jié)果是：發(fā)射結(jié)不同部位上的正偏壓值不相等。愈靠近中央部位，發(fā)射結(jié)正偏壓越小，甚至可能反向�？拷�基極接觸的發(fā)射結(jié)部位，正偏壓較大。因此，發(fā)射極電流密度在中央部位小，電流基本上集中在發(fā)射結(jié)邊緣。基極電流很大時(shí)，發(fā)射結(jié)的有效面積集中在結(jié)的邊緣。這種現(xiàn)象叫做發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，或者叫基區(qū)自偏壓效應(yīng)。當(dāng)晶體管的工作頻率與fT，很接近，故基極電流很大，約等于發(fā)射極電流，此時(shí)電流集邊效應(yīng)顯著，晶體管發(fā)射結(jié)的有效面積顯著減小。

為了盡量減小晶體管的發(fā)射結(jié)無效面積，提高晶體管的高頻性能，在設(shè)計(jì)高頻晶體管時(shí)，發(fā)射結(jié)周長(zhǎng)要盡可能大，面積要盡可能小，即兩者之比要盡可能大。IEmax(或相應(yīng)的ICmax 值)只和靠近基極條一邊的發(fā)射區(qū)周長(zhǎng)（即“有效發(fā)射區(qū)周長(zhǎng)”）成正比，而與發(fā)射區(qū)面積無關(guān)，即IEmax=α×LE，其中α為發(fā)射區(qū)單位有效周長(zhǎng)的工作電流。不同電路取α值是不同的：
αnpn邏輯 = 0.16~0.4mA/μm
αnpn線性 =0.04~0.16 mA/μm
α橫向pnp = 0.001~0.008 mA/μm
α縱向pnp = 0.005~0.015 mA/μm