對可制造性設計(DFM)的擔憂已經(jīng)拖慢了90納米晶圓的量產(chǎn)進度，并且將在65納米出現(xiàn)更多問題，國際業(yè)務戰(zhàn)略公司(International Business Strategies, IBS)執(zhí)行官Handel Jones在無晶圓廠半導體協(xié)會(FSA)展覽會期間表示。

Jones主持了一場關于DFM的討論會，他在會上發(fā)表了IBS公司的研究。Jones的演示和隨后與會來賓的評論對行業(yè)提出了警告，并呼吁采取行動。Jones指出，90和130nm晶圓采用相同材料，130nm量產(chǎn)時間仍然耗費接近一年半，90nm逾兩年。“為什么會延遲？我們的分析是，泄漏是影響低產(chǎn)出率的主要罪魁禍首。”Jones表示。這包括亞閾值和門氧化物泄漏。

據(jù)Jones稱，泄漏是與設計有關產(chǎn)出率損失的首要因素。在90和65nm，與設計相關的良品率損耗可能降低30%的產(chǎn)出率，比工藝相關和刻線相關的損耗更為顯著，據(jù)IBS數(shù)據(jù)稱。隨著特征尺寸減少，非缺陷相關的良品率問題也隨之增加。他還指出，制造和設計成本在總收入中占據(jù)的比例越來越高，而這一方向是錯誤的。

Jones的發(fā)言激起了其他與會人士的共嗚。Cadence Design Systems公司DFM副總裁兼總經(jīng)理Mark Levitt表示，DFM必須更加以設計為中心。Synopsys公司硅工程部DFM副總裁Anantha Sethuraman也談到化學金屬拋光，以及業(yè)內(nèi)需要“拋光友好”的設計電路。他還呼吁具有“檢查意識”的虛擬金屬填充，而關鍵是設計要具有制造意識。

PDF Solutions公司總裁兼CEO呼吁業(yè)內(nèi)由DFM規(guī)則向DFM模型轉移，以量化電路元件失效的或然性，允許在性能和良品率之間進行折衷。