飛兆推出尺寸MOSFET器件,持續(xù)電流突破1A
出處:soonow 發(fā)布于:2007-12-04 11:20:34
FDC6020C具有良好的熱性能和高效率特性,適用于機頂盒、數(shù)碼相機和硬盤驅(qū)動器等產(chǎn)品。該器件的低壓門限(VGS = 2.5V)可簡化采用3.3V總線轉(zhuǎn)換器或單節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)計。當(dāng)沒有高門驅(qū)動電壓時,使用FDC6020C則無需設(shè)計充電泵電路。此外,該器件的每一個MOSFET都具有優(yōu)良的RDS(on)特性(在4.5V時, P溝道為52mΩ,N溝道為27mΩ)。FDC2060C的結(jié)點至外殼熱阻抗(1℃/W)及結(jié)點至周邊環(huán)境熱阻抗(68℃/W)有助于達到電流密度,并同時維持工作溫度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封裝,其面積僅為9mm2,側(cè)高為0.8mm。這種先進的封裝形式無須傳統(tǒng)的金屬線連接,不但提供低電阻抗,而且可以維持所需的關(guān)鍵性機械公差特性,使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結(jié)構(gòu)在PCB和MOSFET晶片(漏極連接)之間提供低熱阻抗通路。
這種無鉛產(chǎn)品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標(biāo)準(zhǔn)要求,并符合生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。FDC6020器件有現(xiàn)貨供應(yīng),訂購1, 000個時每個0.76美元(僅供參考)。交貨期為收到訂單后8周內(nèi)。
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