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Dallas Semi推出基于晶體振蕩器的替代品

出處:aqiang7132 發(fā)布于:2007-12-04 11:11:42

  飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封裝的80V N溝道MOSFET器件——FDS3572。該器件能同時為DC/DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級同步整流開關(guān)電源設(shè)計提供良好的整體系統(tǒng)效率。

  FDS3572提供7.5nC Miller電荷(Qgd),比相同RDS (on)級別的產(chǎn)品低38%。該器件的低Miller電荷加上低RDS (on) (16m)特性,其品質(zhì)因數(shù)優(yōu)值(Figure of Merit, FOM = RDS(on)×Qgd)為120。FDS3572的總門電荷在VGS =10V為31nC,有助于降低損秏;低QRR (70nC)也可降低反向恢復(fù)損耗;而且其EAS=515mJ的高雪崩性能,可以提高耐用性。這些產(chǎn)品特性再配合小體積的封裝,使得FDS3572適合于要求嚴格的電源設(shè)計。

  FDS3572開關(guān)特別適用于預(yù)穩(wěn)壓的高密度隔離全橋或半橋DC/DC轉(zhuǎn)換器電路應(yīng)用,也可適合初級應(yīng)用,包括低壓電信電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)通信電源、服務(wù)器和采用總線轉(zhuǎn)換器拓撲,且支持中間母線結(jié)構(gòu)(IBA)的調(diào)壓模塊(VRM)。在這些應(yīng)用中,頻率通常高達250KHz,而FDS3572極低的Miller電荷可實現(xiàn)快速切換,從而減少動態(tài)損耗;至于其超低門電荷則可通過減少驅(qū)動器/PWM控制IC的功耗來提高系統(tǒng)效率。

  這種先進的器件還可用于同步整流器,以替代DC/DC轉(zhuǎn)換器次邊的傳統(tǒng)高壓肖特基整流器,輸出電壓為5V至52V。典型的產(chǎn)品應(yīng)用包括:網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)通信DC/DC轉(zhuǎn)換器,以及筆記本電腦的外部AC/DC適配器。FDS3572的低RDS(on)特性可將傳導(dǎo)損耗控制在允許范圍內(nèi),并提高筆記本電腦AC/DC適配器的功率密度。

  訂購1,000個FDS3572器件時,單價為1.18美元(僅供參考),有現(xiàn)貨供應(yīng),交貨期為收到訂單后8周內(nèi)。

  
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