意法半導(dǎo)體公布了該公司的45nm (0.045微米) CMOS設(shè)計平臺，在這個平臺上，客戶可以為低功耗的無線和便攜通信應(yīng)用設(shè)備開發(fā)下一代系統(tǒng)芯片(SoC)產(chǎn)品。

　　與采用65nm技術(shù)的設(shè)計相比，ST的低功耗創(chuàng)新工藝結(jié)合多個閾值晶體管，將芯片面積縮減一半。同時，新工藝將處理速度提高了20%，在正常工作模式下，泄漏電流降低二分之一，在保持模式下，泄漏電流降低到幾分之一。后一項將給便攜產(chǎn)品的設(shè)計人員帶來巨大的好處，因為電池電量的使用時間是便攜產(chǎn)品設(shè)計需要考慮的一個重要的因素。

　　ST在完成一個高集成度的45nm SoC 演示芯片的設(shè)計或流片時使用了這個的45nm低功耗CMOS平臺。這個芯片設(shè)計包含一個先進(jìn)的雙核CPU系統(tǒng)和相關(guān)的存儲器分層結(jié)構(gòu)，采用了在45nm工藝節(jié)點上將高性能和低功耗合二為一所需的復(fù)雜的低功耗方法。  

　　新的低功耗設(shè)計平臺充分利用了45nm工藝技術(shù)的多功能和模塊化特點，該平臺是在法國格勒諾布爾近郊Crolles的ST研發(fā)中心開出來發(fā)的，并在Crolles2聯(lián)盟的300mm晶圓制造廠接受了產(chǎn)品驗證。

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　　與其它的準(zhǔn)備部署的45nm設(shè)計平臺一樣，ST的低功耗45nm工藝含有進(jìn)行高密度和高性能設(shè)計所需的全部先進(jìn)模塊。這些重要模塊包括：蝕刻重要圖形層的193nm浸沒式光刻技術(shù)、潛溝道隔離及晶體管應(yīng)力技術(shù)、先進(jìn)的采用毫秒退火方法的結(jié)工程、超低K的內(nèi)部銅層電介材料、準(zhǔn)許降低互連線電容的技術(shù)。此外，還有兩個單元庫：一個是為高性能優(yōu)化的，另一個是為低功耗優(yōu)化的?？傊撈脚_為設(shè)計人員提供了豐富的設(shè)計選擇。

　　通過與Cadence、Mentor Graphics、Synopsys和Magma等主要EDA廠商的研發(fā)部門合作，ST的45nm設(shè)計平臺受到業(yè)內(nèi)主要的CAD工具的全面支持，由于開發(fā)環(huán)境是技術(shù)人員熟悉的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工具，ST的客戶可以立即著手設(shè)計先進(jìn)的系統(tǒng)芯片解決方案。