Ramtron宣布擴(kuò)展其+125℃汽車F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品線陣容，F(xiàn)M25L04-GA這款3V、4Kb并具有串行外設(shè)接口(SPI)的F-RAM器件現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100的規(guī)范要求，可在-40℃至+125℃的汽車工作溫度范圍內(nèi)工作，并確保在極端溫度條件下保存數(shù)據(jù)達(dá)9,000小時(shí)。

　　FM25L04-GA現(xiàn)已用于需要F-RAM經(jīng)常及快速地保存數(shù)據(jù)的先進(jìn)動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)中，使變速度箱能夠連續(xù)適應(yīng)不斷變化的駕駛者行為和路面狀況。F-RAM的No Delay(無(wú)延遲)寫(xiě)入、幾乎無(wú)限次的讀寫(xiě)以及高速的SPI接口，為其帶來(lái)獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，能夠在這及其它先進(jìn)汽車應(yīng)用中以的總線速度可靠地寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
Ramtron戰(zhàn)略市場(chǎng)拓展經(jīng)理Duncan Bennett稱："在乘客艙內(nèi)和引擎罩下的智能汽車應(yīng)用中，Ramtron 的F-RAM存儲(chǔ)技術(shù)已成為主流的存儲(chǔ)器技術(shù)。Ramtron正在擴(kuò)展其Grade 1汽車器件產(chǎn)品系列，以滿足世界各地汽車制造商不同的要求。"

　　FM25L04-GA是完全符合業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口4Kb非易失性存儲(chǔ)器，提升了F-RAM技術(shù)的高速寫(xiě)入能力。這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產(chǎn)品的直接硬件替代產(chǎn)品，但功能更強(qiáng)，具有高速的寫(xiě)入能力、幾乎無(wú)限次的擦寫(xiě)，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達(dá)10MHz的總線速度下進(jìn)行讀寫(xiě)操作，并具有先進(jìn)的寫(xiě)保護(hù)方案以防止意外的寫(xiě)入與數(shù)據(jù)損壞。在+125℃時(shí)保證數(shù)據(jù)保存9,000小時(shí)，在55℃時(shí)數(shù)據(jù)更可保存17年，在汽車溫度范圍內(nèi)并以3.0V電壓運(yùn)行。該產(chǎn)品采用"綠色"環(huán)保的8腳SOIC封裝。