ST推出微小型高集成芯片，該芯片使用ST公司的IPAD (Integrated Passive and Active Devices)技術(shù)生產(chǎn)，可以為手機(jī)、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)及大量使用可抽取SD協(xié)議卡的其他消費(fèi)類和工業(yè)產(chǎn)品提供存儲(chǔ)卡接口所需的五種重要功能。新的倒裝芯片EMIF06-SDO2F3存儲(chǔ)卡收發(fā)器集成了信號(hào)調(diào)節(jié)、雙向電平移相器、ESD（electrostatic discharge）保護(hù)，EMI（electromagnetic interference）濾波和一個(gè)2.9V穩(wěn)壓器。
　
　　將這些電路集成到一個(gè)單片集成電路中，增加了系統(tǒng)可靠性，并且比典型的離散解決方案節(jié)約75％的電路板空間。EMIF06-SDO2F3需要不到7m2的電路板空間，與大約30m2的離散解決方案相比，可以提供相同的功能，而且該芯片簡(jiǎn)化了應(yīng)用的設(shè)計(jì)與布局。

　　該芯片符合高速SD標(biāo)準(zhǔn)，并且?guī)в蠱iniSD，MMC和uSD/TransFlash功能。對(duì)暴露在外存儲(chǔ)卡插槽，該芯片提供了一個(gè)別的ESD保護(hù)，有效的EMI濾波可以保護(hù)數(shù)據(jù)線不受RF干擾，上拉和下拉電阻避免浮動(dòng)數(shù)據(jù)線?？▊?cè)引腳的ESD保護(hù)滿足嚴(yán)格的IEC61000-4-2 Level 4標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)15kV的空氣放電。800MHz到3GHz的EMI濾波器在1GHz時(shí)可達(dá)20dB的衰減。

　　此外，工作于50MHz并帶有典型值為3ns傳輸延時(shí)的六個(gè)高速雙向電平移相器，使其可以接入1.8V主機(jī)處理器的2.9V存儲(chǔ)卡。1.5ns的通道間延遲差保證了數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐暾裕?微安的靜態(tài)過電流使驅(qū)動(dòng)器在低功耗應(yīng)用時(shí)性能。

　　存儲(chǔ)卡的電源是由一個(gè)片上2.9V LDO CMOS穩(wěn)壓器提供的，帶有200mA電流驅(qū)動(dòng)能力，輸入電壓范圍在3.1V到5V之間。輸入輸出壓差為100mV，為200mA負(fù)載電流。具有快速的30us接通時(shí)間的切斷控制引腳使器件將應(yīng)用產(chǎn)品的功耗化，并延長(zhǎng)了電池壽命，調(diào)節(jié)器包括熱切斷、欠壓鎖定和短路保護(hù)功能。

　　EMIF06-SDO2F3為無鉛、24個(gè)凸點(diǎn)、400微米間距倒裝芯片，目前已經(jīng)在批量生產(chǎn)。1百萬片的價(jià)格為$1.10，1到5百萬片的價(jià)格為$0.95。