利用跟蹤信號發(fā)生器增強(qiáng)頻譜分析能力(二)
出處:赤鑄 發(fā)布于:2007-11-13 14:36:03
頻譜分析儀分辨帶寬(RBW)的選擇主要由信號發(fā)生器的品質(zhì)來決定。對于不穩(wěn)定的信號源,比如非鎖相腔體信號發(fā)生器,可用的窄的RBW濾波器大概為100kHz。而相對穩(wěn)定的信號源允許使用窄帶RBW濾波器。當(dāng)然,隨著RBW濾波器頻帶的加寬,系統(tǒng)的基底噪聲也將增加,而動態(tài)范圍將會下降。
低頻帶跟蹤信號發(fā)生器系統(tǒng)可用來測量中心頻率為1445MHz(圖7)的帶通濾波器。開始頻率為1345MHz,截止頻率為1545MHz??v坐標(biāo)刻度為10dB/p,分析儀的衰減設(shè)定為10dB,1s的掃頻周期,10kHz的RBW和3kHzVBW。在掃描開始前,通過運(yùn)用圖像減法來去除跟蹤發(fā)生振蕩器輸出線的變化來設(shè)定基準(zhǔn)線。
圖8所示,TG200被設(shè)置來為HP8566光譜分析儀擴(kuò)展高頻帶提供跟蹤發(fā)生器掃描信號。對于該高頻帶測量,混頻器的端口1與信號發(fā)生器連接。對應(yīng)于全頻帶(2到22GHz)分析儀的IF端的頻率均為321.4MHz(信號發(fā)生器被調(diào)諧在此頻率)。此時,混頻器的R端口包含了有效的跟蹤發(fā)生器信號以及有害的鏡像。分析儀輸入端的YIG跟蹤濾波器可以有效的消除這種有害的鏡像信號。
圖9所示的為TG100系統(tǒng),用于HP8568A/B光譜分析儀(直流到1.5GHz)低頻段測量。對于固定的第二LO而言,分析儀的IF端額定工作頻率為2050.300MHz(信號發(fā)生器調(diào)諧在該頻率),不過第二LO具有一定量的掃描范圍,此時該范圍小于2MHz。可通過使用“SHIFTT”指令序列來禁用第二LO端口信號的該掃描功能,并不影響跟蹤信號發(fā)生器的性能。這時,就使得分析儀工作在:只有LO端口掃頻和IF端口信號固定的模式下了。端接50負(fù)載時,結(jié)果顯示該測試裝置的 動態(tài)范圍大約為90dB。
當(dāng)對頻率變換裝置(比如 混頻器)進(jìn)行掃描分析時,大多數(shù)現(xiàn)有的跟蹤發(fā)生振蕩器和網(wǎng)絡(luò)分析儀都不允許對輸入信號加偏置。但使用TG100/200系統(tǒng)可以進(jìn)行這樣的測量,條件是被測部件(DUT)引入的頻率偏置不超過頻譜分析儀IF的限制。通過在與TG100/200系統(tǒng)相連接的信號發(fā)生器上輸入偏置補(bǔ)償信號,就可以對頻率變換型被測部件進(jìn)行掃頻分析。
比如,利用TG100模塊和HP8566來對一個下變頻器進(jìn)行掃描分析(圖10)。通常,為了在頻帶應(yīng)用TG100和HP8566,信號發(fā)生器頻率設(shè)置為3621.4MHz。但由于本例中的DUT使用了一個LO頻率為232.6MHz的混頻器,所以必須對信號進(jìn)行偏置補(bǔ)償,否則跟蹤發(fā)生振蕩器的輸出信號將是錯誤的。解決辦法是:設(shè)置信號發(fā)生器的偏置補(bǔ)償頻率為232.6MHz,使得信號發(fā)生器的輸出頻率為3388.8MHz。這樣,跟蹤發(fā)生振蕩器就輸出可以補(bǔ)償DUT內(nèi)部頻率偏置的正確頻率。
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 頻譜儀精準(zhǔn) TOI 測量的設(shè)置優(yōu)化2025/9/5 16:39:30
- SiPM 測試板偏置電壓源的選擇與考量2025/9/2 15:54:57
- EMC的測試方法有幾種常見2025/8/28 17:25:45
- FCBAG封裝集成電路在失效分析中常用的檢測設(shè)備與技術(shù)2025/8/27 17:03:25
- 高端精密裝備精度測量的核心理論與實(shí)用方法2025/8/27 16:31:27
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析













