NEC電子日前完成了用于建立汽車音響及導航系統(tǒng)等衛(wèi)星數(shù)字廣播接收系統(tǒng)的化合物晶體管產(chǎn)品“NE3510M04”的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。新產(chǎn)品主要用于可接收衛(wèi)星廣播的低噪音放大器(LNA：Low Noise Amplifier)，使用該產(chǎn)品可對從2GHz到8GHz頻帶的低噪音進行放大。

　　新產(chǎn)品與NEC電子現(xiàn)有產(chǎn)品相比，將放大信號時的噪音降低了0.1dB，將放大部分的電平提高了1.5dB，有利于降低特性偏差。用戶使用新產(chǎn)品，可以提高汽車音響、便攜式音樂播放器等接收信號的靈敏度，從而擴大接收信號的范圍，實現(xiàn)接收設備的小型化、低成本化。

　　新產(chǎn)品的樣品價格為30日元/個，批量生產(chǎn)將從2007年9月開始，初期的生產(chǎn)規(guī)模為10萬個/月，預計到2008年生產(chǎn)規(guī)模將達到100萬個/月。

　　NEC電子此次推出的新產(chǎn)品是專門針對衛(wèi)星廣播領域開發(fā)的產(chǎn)品，因此非常重視低噪音特性。新產(chǎn)品的主要特征如下。

(1)低噪音特性及高增益性能均為業(yè)界水平

　　通過優(yōu)化外延層(Epitaxial layer)結構，使放大信號時的噪音與現(xiàn)有產(chǎn)品相比降低了0.1dB，使放大部分的電平提高了1.5dB，因此可同時實現(xiàn)業(yè)界水平的低噪音特性及高增益性能。

(2)可支持較寬的頻率

　　可接收從2GHz到8GHz的寬頻帶范圍的信號，并進行放大。

(3)使用NEC電子獨有的異質(zhì)結場效應晶體管(HJ-FET)技術

　　在此次的產(chǎn)品中，使用了NEC電子獨有的用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應層將砷化鎵銦(InGaAs)溝道層夾在中間的結構。此次，NEC電子不僅通過使用獨有的電極形成技術，實現(xiàn)超低噪音的異質(zhì)結場效應晶體管(HJ-FET)，還通過改善外延層的結構及芯片生產(chǎn)條件，降低芯片生產(chǎn)過程中所產(chǎn)生的特性偏差。