**芯片概述：** CSD17552Q3A是由Texas Instruments（德州儀器）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用DPAK-3封裝形式。該器件設(shè)計用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有助于降低系統(tǒng)功耗并提升整體效率。其柵極電荷較低，可以實現(xiàn)高速開關(guān)操作，非常適合高頻開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載點(POL)穩(wěn)壓器等應(yīng)用場景。 **應(yīng)用場景：** 此款MOSFET常被應(yīng)用于計算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備及工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中作為電源管理元件。在實際電路設(shè)計時，建議充分考慮散熱管理，以確保最佳性能表現(xiàn)。由于其緊湊的封裝尺寸，特別適合空間受限的設(shè)計需求。使用時應(yīng)注意驅(qū)動電壓的選擇，以保證MOSFET工作在其額定范圍內(nèi)，避免因過壓或欠壓導(dǎo)致的損壞。

CSD17552Q3A 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨10,000Factory查看交期
系列
NexFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Ta），60A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2050 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.6W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-SON（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

芯知識

2.2萬

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