**CSD17552Q5A概述** CSD1755/XMLSchema=producer>德州儀器(TI)生產(chǎn)的N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的SON 5mm x 6mm封裝技術(shù)。該器件設(shè)計(jì)用于高效能功率管理應(yīng)用，具備低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）特性，在柵極電壓為4.5V時(shí)典型值僅為3.5mΩ。其最大漏源電壓（VDS）可達(dá)30V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C條件下可達(dá)到100A。該芯片適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于開關(guān)模式電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、同步整流以及電池充電電路等需要高效電能轉(zhuǎn)換和管理的場(chǎng)合。由于其優(yōu)異的熱性能與低損耗特點(diǎn)，特別適合于對(duì)效率有嚴(yán)格要求的消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦的電源管理系統(tǒng)中。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，需注意遵循制造商提供的布局指南以確保最佳散熱效果，并避免因過熱導(dǎo)致的性能下降或損壞。

CSD17552Q5A 規(guī)格參數(shù)

品牌：Texas Instruments
描述：MOSFET N-CH 30V 17A 8SON
包裝：2500/標(biāo)準(zhǔn)卷帶
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：17A（Ta），60A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6.2 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2050pF @ 15V
功率耗散（最大值）：3W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：8-VSONP（5x6）
封裝/外殼：8-PowerTDFN

芯知識(shí)

2.2萬

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