FDD86369是ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效率的電源管理應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動以及各種消費類電子設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。在便攜式設(shè)備如智能手機和平板電腦中，F(xiàn)DD86369可用于電池充電管理和電源路徑控制，以延長設(shè)備的工作時間并提高能效。此外，在工業(yè)控制系統(tǒng)中，它常用于驅(qū)動繼電器和其他執(zhí)行機構(gòu)，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。對于電機驅(qū)動應(yīng)用，這款MOSFET能夠提供精確的速度控制和較低的能量損耗。實際應(yīng)用時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，以確保MOSFET完全開啟，并且要考慮散熱設(shè)計以避免過熱損壞。例如，在設(shè)計一個高效的同步降壓轉(zhuǎn)換器時，應(yīng)根據(jù)輸入輸出電壓及電流要求合理選擇外圍元件，如電感和電容，并通過良好的PCB布局來優(yōu)化散熱性能，保證整個系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。同時，為防止靜電損壞，操作過程中應(yīng)采取適當?shù)姆漓o電措施。

FDD86369 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,934現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
90A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
7.9 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2530 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tj）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D-PAK（TO-252）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

芯知識

2.2萬

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