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2SJ651

更新時間:2025-07-04 07:05:34

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2SJ651 概述

2SJ651是東芝公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET，適用于多種低頻和中頻應用。該MOSFET具有較低的導通電阻，有助于減少功耗并提高效率。其最大漏源電壓為-60V，在-10V柵源電壓下的導通電阻典型值為0.3歐姆，這使其在功率控制電路中表現(xiàn)出色。2SJ651常用于電機驅動、開關電源和其他需要高可靠性和穩(wěn)定性的模擬電路中。在實際應用時，確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET，避免長時間工作在高損耗區(qū)域以防止過熱損壞。對于電機驅動應用，推薦添加適當?shù)纳崞饕愿纳茻嵝阅堋?

2SJ651 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
100
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
-
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2200pF @ 20V
功率 - 最大
2W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220ML
包裝
散裝
其它名稱
869-1055

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