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Silicon P-Channel MOS FET
HITACHI
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Silicon P-Channel MOS FET
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 16...
ETC
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Silicon P Channel MOS FET
RENESAS [Renesas Technology Corp]
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電路的功能 用于大功率的mosfet功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了mosfet，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。本電路能連續(xù)輸出100~150w并能承受負(fù)載短路。 電路工作原理 基本電路組成與限流保護(hù)電路的100w功率放大器相同，第二差動級是輸出用的功率mosfet，2sj77，電流密勒電路使用了2sk214。雖然工作電流只有6ma，但是，因?yàn)殡娫措妷焊哌_(dá)正負(fù)50v，晶體管會發(fā)熱，于是安裝了小型散熱片。 輸出級采用直接驅(qū)動方式，由于不經(jīng)射極輸出器緩沖，驅(qū)動電路的負(fù)載就加重了，如果轉(zhuǎn)換速度需要提高，可以tt5-6的允許損耗范圍內(nèi)盡量加大漏級偏置電流。 功率mosfet經(jīng)常產(chǎn)生高頻振蕩，要抑制振蕩比較困難，簡單的措施是在柵極串聯(lián)電阻★標(biāo)志的ro，但這要犧牲一些高頻特性，ro的阻值隨所用元件而異，通常在50~500歐之間。 與單極晶體管相比，輸出電路的電壓損耗很大，電源電壓應(yīng)有所提高。出于輸出電路的損耗電壓取決于功率mosfet的通態(tài)電阻，在大電流條件下
0.5A/160V
此電路圖是用功率mosfet管構(gòu)成的功率放大器電路。電路中差動第二級采用型號為2sj77的mosfet，電流鏡像電路采用2sk214。其工作電流為6ma，但電源電壓較高（±50v），晶體管會發(fā)熱，因此要接入小型散熱器。 來源:qick
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