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當前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>zxmn2b01f 更新時間:2026-04-14 14:18:57

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  • Zetex 推出三款N 溝道增強模式MOSFET

    zetex推出三款為有限驅(qū)動電壓應用設計的n 溝道增強模式 mosfet。 這三款新產(chǎn)品分別為 20v 的zxmn2b03e6 (sot236封裝)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(兩者均為sot23封裝)。這些器件均具有1.8vgs條件下的低損耗開關(guān)功能,可以使用兩個1.2v 電池或一個鋰離子電池驅(qū)動。其超低柵極驅(qū)動意味著可以直接通過邏輯門來驅(qū)動。 三款新 mosfet可確保1.8vgs 條件下的導通電阻 (rds(on) ) 分別低于75毫歐(m?)、100毫歐(m?)和200毫歐(m?),使之在低壓應用中大顯身手,例如高端分段開關(guān)的電平轉(zhuǎn)換、升壓型轉(zhuǎn)換器電路的外置開關(guān),以及低壓微控制器和電機、電磁鐵等負載的緩沖等。 快速開關(guān)性能是zetex專有umos技術(shù)的另一個主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情況下,上升和下降時間僅為3.6ns和10.5ns。 來源:小草

  • 賽靈思推出高性能DSP平臺VIRTEX-5 SXT FPGA

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  • 安捷倫推出業(yè)界首款用于數(shù)字通信分析儀的相噪應用軟件和選件..

    模擬信號處理及功率管理解決方案供應商zetex semiconductors近日推出三款為有限驅(qū)動電壓應用設計的n溝道增強模式mosfet。 這三款新產(chǎn)品分別為20v的zxmn2b03e6(sot236封裝)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(兩者均為sot23封裝)。這些器件均具有1.8vgs條件下的低損耗開關(guān)功能,可以使用兩個1.2v電池或一個鋰離子電池驅(qū)動。其超低柵極驅(qū)動意味著可以直接通過邏輯門來驅(qū)動。 三款新mosfet可確保1.8vgs條件下的導通電阻(rds(on))分別低于75毫歐(mω)、100毫歐(mω)和200毫歐(mω),使之在低壓應用中大顯身手,例如高端分段開關(guān)的電平轉(zhuǎn)換、升壓型轉(zhuǎn)換器電路的外置開關(guān),以及低壓微控制器和電機、電磁鐵等負載的緩沖等。 快速開關(guān)性能是zetex專有umos技術(shù)的另一個主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情況下,上升和下降時間僅為3.6ns和10.5ns。 來源:零八我的愛

  • zetex發(fā)布三款有限驅(qū)動電壓應用設計的MOSFET

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  • Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅(qū)動操作

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  • Zetex推出適用于超低柵極驅(qū)動操作的新型MOSFET

    模擬信號處理及功率管理解決方案供應商zetex semiconductors近日推出三款為有限驅(qū)動電壓應用設計的n溝道增強模式mosfet。 這三款新產(chǎn)品分別為20v的zxmn2b03e6(sot236封裝)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(兩者均為sot23封裝)。這些器件均具有1.8vgs條件下的低損耗開關(guān)功能,可以使用兩個1.2v電池或一個鋰離子電池驅(qū)動。其超低柵極驅(qū)動意味著可以直接通過邏輯門來驅(qū)動。 三款新mosfet可確保1.8vgs條件下的導通電阻分別低于75毫歐、100毫歐和200毫歐,使之在低壓應用中大顯身手,例如高端分段開關(guān)的電平轉(zhuǎn)換、升壓型轉(zhuǎn)換器電路的外置開關(guān),以及低壓微控制器和電機、電磁鐵等負載的緩沖等。 快速開關(guān)性能是zetex專有umos技術(shù)的另一個主要功能。例如zxmn2b01f在vgs = 4.5v和id = 1a的情況下,上升和下降時間僅為3.6ns和10.5ns。

  • TI針對惡劣過程環(huán)境推堅固耐用的封裝標簽

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  • Zetex 推出三款N 溝道增強模式MOSFET

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ZXMN2B03E6 ZXMN2B14FH ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN3F30FHTA ZXMN3F31DN8 ZXMN3G32DN8 ZXMP2120E5 ZXMP2120G4 ZXMS6002G

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